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BAS40

更新时间： 2024-10-02 06:41:27

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TSC		二极管光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	86K
描述
200mW, Low VF, SMD Schottky Barrier Diode

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BAS40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	GREEN, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	0.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.38 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	0.6 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	0.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

BAS40 数据手册

BAS40 / -04 / -05 / -06

200mW, Low V_F,SMD Schottky Barrier Diode

Small Signal Diode

Features

Metal-on-silicon Shcottky Barrier

Surface device type mounting

Moisture sensitivity level 1

Matte Tin(Sn) lead finish with Nickel(Ni) underplate

Pb free version and RoHS compliant

Green compound (Halogen free) with suffix "G" on

packing code and prefix "G" on date code

Unit (mm)

Unit (inch)

Min Max

Dimensions

Min

2.80

1.20

0.30

1.80

2.25

0.90

Max

Mechanical Data

Case : Flat lead SOT 23 small outline plastic package

3.00 0.110 0.118

1.40 0.047 0.055

0.50 0.012 0.020

2.00 0.071 0.079

2.55 0.089 0.100

1.20 0.035 0.043

Terminal: Matte tin plated, lead free., solderable

per MIL-STD-202, Method 208 guaranteed

High temperature soldering guaranteed: 260°C/10s

Weight : 0.008gram (approximately)

0.550 REF

0.022 REF

BAS40

BAS40-04

BAS40-05

BAS40-06

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

Value

Units

Power Dissipation

200

Repetitive Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V^RRM

Repetitive Peak Forward Current

Mean Forward Current

I^FRM

200

I^O

200

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (Note 1)

Thermal Resistance (Junction to Ambient) (Note 2)

Junction and Storage Temperature Range

IFSM

0.6

RθJA

TJ, TSTG

357

°C/W

°C

-65 to + 125

Electrical Characteristics

Type Number

Symbol

Min

Max

Units

Reverse Breakdown Voltage

I_R=

V^(BR)

10μA

I_F=

0.38

0.50

1.00

0.2

1mA

Forward Voltage

I_F=

V^F

10mA

40mA

30V

I_F=

V_R=

V_R=1V,

μA

Reverse Leakage Current

Junction Capacitance

f=1.0MHz

Trr

Reverse Recovery Time I_F=I_R=10mA, R_L=100Ω, I_RR=1mA

5.0

Notes:1. Test Condition : 8.3ms Single half Sine-Wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method)

Notes:2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

Version : C09

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与BAS40相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BAS40-	INFINEON	获取价格	Silicon Schottky Diodes (General-purpose diodes for high-speed switching Circuit protectio
BAS40(-04/-05/-06)	RECTRON	获取价格	Reverse Voltage Vr : 40 V;Forward Current Io : 0.2 A;Forward Voltage Vf : 0.38 V;Reverse C
BAS40,215	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23
BAS40,235	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23
BAS40/04/05/06	ETC	获取价格	Schottky barrier diodes
BAS40/DG/B2,215	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY 40V 120MA TO236AB
BAS40/E8	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS40/E9	VISHAY	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.2A, 40V V(RRM), Silicon, TO-236AB
BAS40/G,215	NXP	获取价格	BAS40 series; 1PSxxSB4x series - General-purpose Schottky diodes TO-236 3-Pin
BAS40/ZLR	ETC	获取价格	DIODE SCHOTTKY 40V 120MA TO236AB

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