BAS385

更新时间： 2024-02-26 13:39:43

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威世 - VISHAY		整流二极管肖特基二极管
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4页	53K
描述
Schottky Barrier Diode

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BAS385 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.24 V
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	5 A
元件数量：	1	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	30 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

BAS385 数据手册

BAS385

Vishay Telefunken

Schottky Barrier Diode

Features

Integrated protection ring against

static discharge

Very low forward voltage

96 12315

Applications

Applications where a very low forward voltage

is required

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Reverse voltage

Test Conditions

Type

Symbol

Value

Unit

Peak forward surge current

Repetitive peak forward current t ≤ 1 s

Forward current

Average forward current

Junction temperature

t = 10 ms

300

200

FSM

FRM

V =25V

RWM

FAV

125

Storage temperature range

stg

–65...+150

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Junction ambient

Test Conditions

on PC board 50mmx50mmx1.6mm

Symbol

Value

320

Unit

K/W

thJA

Electrical Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =0.1mA

Type

Symbol Min

Typ Max Unit

240

320

400

500

800

2.3

I =1mA

I =10mA

I =30mA

I =100mA

Reverse current

V =25V, t =300 s

Diode capacitance

V =1V, f=1MHz

www.vishay.de • FaxBack +1-408-970-5600

Document Number 85504

Rev. 3, 01-Apr-99

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