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BA783S-HG3-18

更新时间： 2024-09-28 14:41:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 75K
描述
Mixer Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, Silicon, GREEN PACKAGE-2

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BA783S-HG3-18 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：R-PDSO-G2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.60风险等级：5.72
配置：SINGLE最大二极管电容：1.2 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：MIXER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 V频带：VERY HIGH FREQUENCY TO ULTRA HIGH FREQUENCY
JESD-30 代码：R-PDSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：35 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

BA783S-HG3-18 数据手册

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BA782S-G, BA783S-G  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Band Switching Diodes  
FEATURES  
• Silicon epitaxial planar diode switches  
• AEC-Q101 qualified  
• Base P/N-G3 - green, commercial grade  
• Base P/N-HG3 - green, AEC-Q101 qualified  
• Material categorization:  
for definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
DESCRIPTION  
MECHANICAL DATA  
For electric bandswitching in radio and TV tuners in the  
frequency range of (50 to 1000) MHz. The dynamic forward  
resistance is constant and very small over a wide range of  
frequency and forward current. The reverse capacitance is  
also small and largely independent of the reverse voltage.  
Case: SOD-323  
Weight: approx. 4.0 mg  
Packaging codes/options:  
18/10K per 13" reel (8 mm tape), 10K/box  
08/3K per 7" reel (8 mm tape), 15K/box  
PARTS TABLE  
PART  
ORDERING CODE  
TYPE MARKING  
REMARKS  
BA782S-G3-08 or BA782S-G3-18  
BA782S-HG3-08 or BA782S-HG3-18  
BA783S-G3-08 or BA783S-G3-18  
BA783S-HG3-08 or BA783S-HG3-18  
BA782S-G  
R4  
Tape and reel  
BA783S-G  
R5  
Tape and reel  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
VALUE  
35  
UNIT  
V
Reverse voltage  
VR  
IF  
Forward continuous current  
100  
mA  
THERMAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
SYMBOL  
VALUE  
125  
UNIT  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
Tj  
Tstg  
Top  
- 55 to + 150  
- 55 to + 125  
°C  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Forward voltage  
Reverse current  
TEST CONDITION  
PART  
SYMBOL  
MIN.  
TYP.  
MAX.  
1000  
50  
UNIT  
mV  
nA  
pF  
pF  
pF  
IF = 100 mA  
VF  
IR  
V
R = 20 V  
f = 1 MHz, VR = 1 V  
CD1  
CD2  
CD2  
rf1  
1.5  
Diode capacitance  
BA782S-G  
BA783S-G  
BA782S-G  
BA783S-G  
BA782S-G  
BA783S-G  
1.25  
1.2  
f = 1 MHz, VR = 3 V  
0.7  
f = (50 to 1000) MHz, IF = 3 mA  
f = (50 to 1000) MHz, IF = 10 mA  
rf1  
1.2  
Dynamic forward resistance  
Series inductance across case  
Rev. 1.1, 14-May-14  
rf2  
0.5  
rf2  
0.9  
LS  
2.5  
nH  
Document Number: 85239  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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