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BA159GP-E3/54

更新时间： 2024-10-02 14:47:55
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY PC二极管
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
DIODE FAST 0.5A 1000V DO-41

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BA159GP-E3/54 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
零件包装代码：DO-41包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.19Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：961400
Samacsys Pin Count：2Samacsys Part Category：Diode
Samacsys Package Category：Diodes, Axial Diameter Horizontal MountingSamacsys Footprint Name：DO-204AL (DO-41)
Samacsys Released Date：2018-04-25 07:58:35Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：20 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：0.5 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

BA159GP-E3/54 数据手册

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BA157GP, BA158GP, BA159DGP, BA159GP  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Fast Switching Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Superectifier structure for high reliability condition  
SUPERECTIFIER®  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Fast switching for high efficiency  
• Low leakage current, typical IR less than 0.1 μA  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
DO-204AL (DO-41)  
• Material categorization: for definitions of compliance  
please see www.vishay.com/doc?99912  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
TYPICAL APPLICATIONS  
IF(AV)  
1.0 A  
400 V, 600 V, 800 V, 1000 V  
20 A  
For general purpose of medium frequency rectification.  
VRRM  
MECHANICAL DATA  
IFSM  
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
trr  
IR  
150 ns, 250 ns, 500 ns  
5.0 μA  
VF  
1.3 V  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
TJ max.  
Package  
Diode variation  
175 °C  
DO-204AL (DO-41)  
Single die  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL BA157GP  
BA158GP BA159DGP BA159GP UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
1000  
Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5 mm)  
IF(AV)  
1.0  
20  
A
lead length at TA = 55 °C  
Peak forward surge current 10 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
-65 to +175  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL BA157GP  
BA158GP BA159DGP BA159GP UNIT  
Maximum instantaneous forward voltage 1.0 A  
VF  
IR  
1.3  
5.0  
V
Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
μA  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
Maximum reverse recovery time  
Typical junction capacitance  
trr  
150  
250  
500  
500  
ns  
Irr = 0.25 A  
4.0 V, 1 MHz  
CJ  
15  
pF  
Revision: 08-Jun-16  
Document Number: 88537  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BA159GP-E3/73 VISHAY

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