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B60C1200W

更新时间: 2024-02-19 14:29:05
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MICRO-ELECTRONICS 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 42K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 150V V(RRM), Silicon, CASE R-6, 4 PIN

B60C1200W 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:O-XBCY-W4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.78配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.1 VJESD-30 代码:O-XBCY-W4
最大非重复峰值正向电流:50 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:1.2 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:150 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
Base Number Matches:1

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