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B5819W

更新时间: 2024-02-04 07:55:40
品牌 Logo 应用领域
金誉半导体 - HTSEMI 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
2页 417K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

B5819W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
其他特性:FREE WHEELING DIODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

B5819W 数据手册

 浏览型号B5819W的Datasheet PDF文件第1页 
B5817W-5819W  
Typical Characteristics  
2
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05  

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