B5819WS

更新时间： 2024-11-13 08:46:03

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江苏长电/长晶 - CJ		肖特基二极管
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2页	126K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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B5819WS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PDSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.6 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	125 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大功率耗散：	0.25 W	最大重复峰值反向电压：	40 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

B5819WS 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

SOD-323 Plastic-Encapsulate Diode

B5819WS SCHOTTKY BARRIER DIODE

SOD-323

FEATURES

Power dissipation

P_D:

200

mW (Tamb=25℃)

2.70

Collector current

I_F:

Collector-base voltage

V_R:

3.70

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

MARKING: SL

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

I_R= 1mA

MIN

MAX

UNIT

Reverse breakdown voltage

V_(BR)

V_R=40V

V_R=4V

V_R=6V

Reverse voltage leakage current

I_R

0.05

0.075

I_F=0.1A

I_F=1A

0.45

0.6

Forward voltage

V_F

I_F=3A

0.9

Diode capacitance

C_D

V_R=4V, f=1MHz

120

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
B5819WSF2	YANGJIE	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon,
B5819WSH	BL Galaxy Electrical	获取价格	1A,40V,Surface Mount Small Signal Schottky Diodes
B5819WSHE3	MCC	获取价格	Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
B5819WSL	MCC	获取价格	Tape&Reel: 3Kpcs/Reel;
B5819W-SOD-123	CJ	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
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B5819WS-Q1	ANBON	获取价格	SOD-323
B5819WS-SOD-323	CJ	获取价格	SCHOTTKY BARRIER DIODE
B5819WS-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
B5819WS-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PAC