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B5819W

更新时间: 2024-01-11 16:10:07
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WEITRON 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 153K
描述
Surface Mount Schottky Barrier Diodes

B5819W 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
其他特性:FREE WHEELING DIODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大功率耗散:0.25 W最大重复峰值反向电压:40 V
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

B5819W 数据手册

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B5817W/B5819W  
10  
1.0  
1.8  
1.4  
B5819W  
B5817W  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.1  
0.4  
0.2  
0.01  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
V , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
F
T , LEAD TEMPERATURE ( C)  
L
Fig, 2 Typical Forward Characterictics  
FIG, 1 Forward Current Derating Curve  
1000  
100  
10  
1.0  
0
5
10  
15  
20  
V
R.  
REVERSE VOLTAGE (V)  
Fig, 3 Typ, Junction Capacitance vs. Reverse Voltage  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  

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