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B125C1000G/51

更新时间： 2024-02-13 04:17:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 200K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN

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B125C1000G/51 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：O-PBCY-W4针数：4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
最小击穿电压：200 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：O-PBCY-W4
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：45 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：1.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

B125C1000G/51 数据手册

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B40C1000G thru B380C1000G  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.0 A  
65 V to 600 V  
45 A  
Case Style WOG  
10 µA  
VF  
1.0 V  
~
~
Tj max.  
125 °C  
Features  
Mechanical Data  
• Ideal for printed circuit boards  
• High case dielectric strength  
• High surge current capability  
Case: WOG  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
Terminals: Silver plated (E4 Suffix) leads, solderable  
per J-STD-002B and JESD22-B102D  
• Typical I less than 0.1 µA  
R
Polarity: As marked on body  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Typical Applications  
General purpose use in ac-to-dc bridge full wave rec-  
tification for Power Supply, Adapter, Charger, Light-  
ing Ballaster on Consumers and Home Appliances  
applications  
Maximum Ratings  
Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Symbols  
B40  
B80  
B125  
B250  
B380  
Units  
C1000G C1000G C1000G C1000G C1000G  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS input voltage R + C-load  
Maximum DC blocking voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
65  
40  
125  
80  
200  
125  
200  
300  
350  
10  
400  
250  
400  
600  
600  
600  
380  
V
V
V
V
V
A
A
65  
125  
180  
200  
600  
Maximum peak working voltage  
VRWM  
VRSM  
IFRM  
90  
800  
Maximum non-repetitive peak voltage  
Maximum repetitive peak forward surge current  
100  
1000  
Maximum average forward output current for  
free air operation at TA = 45 °C  
R + L-load  
C-Load  
IF(AV)  
1.2  
1.0  
Peak forward surge current single sine wave on rated load  
Rating for fusing at TJ = 125 °C (t < 8.3 ms)  
IFSM  
45  
10  
A
I2t  
Rt  
A2sec  
Minimum series resistor C-load at VRMS  
Maximum load capacitance  
=
10 %  
1.0  
2.0  
4.0  
8.0  
12  
Ω
+ 50 %  
- 10 %  
CL  
5000  
2500  
1000  
500  
200  
µF  
Operating junction temperature range  
Storage temperature range  
TJ  
- 40 to + 125  
- 40 to + 150  
°C  
°C  
TSTG  
Document Number 88500  
08-Jul-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与B125C1000G/51相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
B125C1000G/51-E4 VISHAY

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 		DIODE 1.2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN, Bridge Rect
B125C1000G/72 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN
B125C1000G/72-E4 VISHAY

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 		DIODE 1.2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN, Bridge Rect
B125C1000G-E4 VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.2 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE WOG, 4 PIN,
B125C1000G-E4/51 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
B125C1000-LF WTE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 300V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, WOB, 4
B125C1000W MICRO-ELECTRONICS

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 300V V(RRM), Silicon, CASE R-6, 4 PIN
B125C1200W MICRO-ELECTRONICS

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.2A, 300V V(RRM), Silicon, CASE R-6, 4 PIN
B125C1500 WTE

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 		1.5A BRIDGE RECTIFIER
B125-C1500 EIC

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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