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B10A60VIC_07

更新时间： 2024-09-21 09:09:27

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KEC		二极管
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描述
SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

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B10A60VIC_07 数据手册

B10A60VIC

SEMICONDUCTOR

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE

(LOW VF TYPE)

TECHNICAL DATA

SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATION.

CONVERTER & CHOPPER APPLICATION.

DIM MILLIMETERS

FEATURES

10.0+0.3

15.0+0.3

Average Output Rectified Current

: I_O=10A (Tc=114 ).

2.70 0.3

0.76+0.09/-0.05

Φ3.2 0.2

Repetitive Peak Reverse Voltage

: V_RRM=60V.

3.0+0.3

12.0 0.3

0.5+0.1/-0.05

13.6 0.5

Fast Reverse Recovery Time : t_rr=35ns.

Low Peak Forward Voltage : 0.52V(Typ.)

3.7 0.2

1.2+0.25/-0.1

1.5+0.25/-0.1

2.54+0.1

6.8 0.1

4.5 0.2

2.6+0.2

0.5 Typ

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

SYMBOL

V_RRM

RATING

UNIT

1. ANODE

2. CATHODE

3. ANODE

Repetitive Peak Reverse Voltage

Average Output Rectified

I_O

Current (Tc=114 ) (Note)

Peak One Cycle Surge Forward

Current (Non-Repetitive 60Hz)

TO-220IS

I_FSM

100

T_j

Junction Temperature

-40 150

-55 150

T_stg

Storage Temperature Range

Note : average forward current of centertap full wave connection.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_FM

TEST CONDITION

MIN.

TYP.

0.52

MAX.

0.58

UNIT

I_FM=5A

Peak Forward Voltage

(Note)

Repetitive Peak

Reverse Current

I_RRM

V_RRM=Rated

150

(Note)

t_rr

Reverse Recovery Time

I_F=1.0A, di/dt=-30A/

Juction to Case

R_th(j-c)

Thermal Resistance

(Note)

4.0

Note : A value of one cell

2007. 7. 12

Revision No : 1

1/2

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