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B1005S

更新时间: 2024-01-03 05:16:12
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强茂 - PANJIT 光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 137K
描述
MINI SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

B1005S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-G4针数:4
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.69
最小击穿电压:50 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G4最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:50 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

B1005S 数据手册

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B1005S SERIES  
1.2  
1
100  
10  
1
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0.1  
1
10  
100  
VR, Reverse Bias Voltage (V)  
TC, Case Temperature (°C)  
Fig.1 Forward Current Derating Curve  
Fig.2 Typical Junction Capacitance  
100  
10  
TJ = 150°C  
10  
TJ = 150°C  
1
TJ = 125°C  
TJ = 75°C  
1
0.1  
0.1  
TJ = 125°C  
TJ = 25°C  
TJ = 75°C  
1
0.01  
0.001  
TJ = 25°C  
40  
0.01  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.2  
20  
60  
80  
100  
VF, Forward Voltage (V)  
Fig.4 Typical Forward Characteristics  
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)  
Fig.3 Typical Reverse Characteristics  
September 25,2015­REV.01  
PAGE . 2  

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