AZ23C12-V-GS08

更新时间： 2024-01-15 11:30:26

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威世 - VISHAY		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
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描述
Small Signal Zener Diodes, Dual

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AZ23C12-V-GS08 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	20 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	12 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
最大电压容差：	5.39%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

AZ23C12-V-GS08 数据手册

AZ23-G-Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

10³

ΔV_Z

10²

R_zth= R_thAx V_Zx

T_j

I_F

R_zth

T_J= 100 °C

10²

10^-1

10^-2

T_J= 25 °C

10^-3

10^-4

10^-5

negative

positive

0.2

0.4

0.6

0.8

100 V

V_F

18114

18121

V_Zat I_Z= 5 mA

Fig. 1 - Forward Characteristics

Fig. 4 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage

100

500

400

R_zj

P_tot

300

200

100

T = 25 °C

I_Z^j= 5 mA

100

200 °C

100 V

18122

18115

V_Z

T_amb

Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Voltage

mV/°C

10³

T_j= 25 °C

ΔV_Z

5 mA

1 mA

20 mA

R_zj

47 + 51

I_Z=

T_j

10²

- 5

0.1

100 V

18123

V_Z

18120

I_Z

Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current

Fig. 6 - Temperature Dependence of Zener Voltage vs.

Zener Voltage

Rev. 1.3, 08-Feb-13

Document Number: 85867

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