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AZ23B9V1-E9

更新时间: 2024-02-25 03:28:49
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威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 358K
描述
DIODE 9.1 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B9V1-E9 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:9.1 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:2%工作测试电流:5 mA

AZ23B9V1-E9 数据手册

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AZ23 Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18111  
Figure 12. Breakdown Characteristics  
18112  
Figure 13. Breakdown Characteristics  
www.vishay.com  
6
Document Number 85759  
Rev. 2, 15-Jul-03  

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