AZ23B4V7-V

更新时间： 2024-02-10 19:40:34

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
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9页	190K
描述
Small Signal Zener Diodes, Dual

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AZ23B4V7-V 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.7 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	1.91%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

AZ23B4V7-V 数据手册

AZ23-V-Series

Vishay Semiconductors

Typical Characteristics

T_amb= 25 °C, unless otherwise specified

10³

ΔV_Z

10²

r_zth= R_thAx V_Zx

T_j

I_F

r_zth

T_J= 100 °C

10²

10^-1

10^-2

T_J= 25 °C

10^-3

10^-4

10^-5

negative

positive

0.2

0.4

0.6

0.8

100 V

18121

V_F

18114

V_Zat I_Z= 5 mA

Figure 1. Forward characteristics

Figure 4. Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage

100

500

400

r_zj

P_tot

300

200

100

T = 25 °C

I_Z^j= 5 mA

100 V

100

200 °C

18122

V_Z

18115

T_amb

Figure 2. Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Figure 5. Dynamic Resistance vs. Zener Voltage

mV/°C

10³

T_j= 25 °C

ΔV_Z

5 mA

1 mA

r_zj

47 + 51

I_Z

T_j

20 mA

10²

- 5

100 V

0.1

10 mA

18123

V_Z

18120

I_Z

Figure 3. Dynamic Resistance vs. Zener Current

Figure 6. Temperature Dependence of Zener Voltage vs. Zener

Voltage

www.vishay.com

Document Number 85759

Rev. 1.5, 24-Mar-06

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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