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AZ23B4V7

更新时间: 2024-01-01 10:28:41
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 195K
描述
DIODE 4.7 V, 0.3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC PACKAGE-3, Voltage Regulator Diode

AZ23B4V7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.69Is Samacsys:N
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:2端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.3 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:4.7 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
最大电压容差:1.91%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

AZ23B4V7 数据手册

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AZ23-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
18124  
18127  
Figure 7. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature  
Figure 10. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of  
thermal equilibrium vs. Zener voltage  
°C  
18125  
18128  
Figure 8. Temperature Dependence of Zener Voltage vs. Zener  
Voltage  
Figure 11. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of  
thermal equilibrium vs. Zener voltage  
18126  
Figure 9. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature  
Document Number 85759  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
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