AZ23B3V0-V

更新时间： 2024-02-27 22:02:24

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威世 - VISHAY		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
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Small Signal Zener Diodes, Dual

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AZ23B3V0-V 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
配置：	COMMON ANODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
最大电压容差：	2%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

AZ23B3V0-V 数据手册

AZ23-V-Series

Vishay Semiconductors

0.8

1.6

ΔV_Z= r_zthx I_Z

0.7

V_Zat I_Z= 5 mA

1.4

1.2

0.6

0.5

0.4

ΔV_Z

0.8

0.6

ΔV_Z

0.3

0.2

0.1

6.2

5.9

0.4

0.2

5.6

5.1

- 1

- 0.2

- 0.4

4.7

3.6

- 0.2

100 V

100 120 140 C

T_j

20 40 60 80

18127

18124

V_Zat I_Z= 5 mA

Figure 7. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature

Figure 10. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of

thermal equilibrium vs. Zener voltage

mV/°C

100

V_Z= r_zthx I_Z

I_Z= 5 mA

ΔV_Z

T_j

ΔV_Z

I_Z= 5 mA

I_Z= 2 mA

100 V

18128

V_Z

18125

Figure 8. Temperature Dependence of Zener Voltage vs. Zener

Voltage

Figure 11. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of

thermal equilibrium vs. Zener voltage

2.7

3.9

5.6

T_j= 25 °C

6.8

4.7

3.3

8.2

l_z

ΔV_Z

Test Current I_Z

5 mA

I_Z= 2 mA

- 1

V_Z

10 V

20 40 60 80 100 120 140 °C

18111

18126

T_j

Figure 9. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature

Figure 12. Breakdown Characteristics

Document Number 85759

Rev. 1.5, 24-Mar-06

www.vishay.com

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