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AV1959

更新时间： 2024-09-28 03:19:47

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AVICTEK		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	218K
描述
TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

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AV1959 数据手册

@vic

AV1959

TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors

AV1959 TRANSISTOR（ NPN ）

FEATURES

TO—92

Power dissipation

P_CM: 0.5 W（Tamb=25℃）

Collector current

I_CM: 0.5 A

1. EMITTER

2.COLLECTOR

3.BSAE

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 35 V

Operating and storage junction temperature range

T_stg: -55℃ to +150℃

T_{j :}150℃

2 3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test conditions

Ic= 100 μA， I_E=0

Ic= 0. 1 mA， I_B=0

I_E= 100 μA， I_C=0

V_CB=35 V , I_E=0

V_EB= 5 V， I_C=0

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage V(BR)_CBO

Collector-emitter breakdown

V(BR)_CEO

voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V(BR)_EBO

I_CBO

μA

0.1

I_EBO

H_FE(1)

H_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=1V, I_C=0

400

DC current gain

V_CE= 6V, I_C= 400mA

I_C= 100mA, I_B=10mA

V_CE=1V, I_C=100mA

V_CE= 6 V, I_C= 20mA

Collector-emitter saturation

voltage

0.25

1.0

Base-emitter voltage

Transition frequency

200

MHz

f_T

CLASSIFICATION OF H_FE

Rank

200-400

70-140

25(min)

120-240

40(min)

H_FE(1)

Range

H_FE(2)

Website: http://www.avictek.com

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