R
ATT075N065EQ
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
项
目
符
号
测试条件
最小 典型 最大 单位
Parameter
Symbol
Tests conditions
Min Typ Max Units
关态特性 Off –Characteristics
集电极-发射极击穿电压
Collector-Emmiter Voltage
BVCES IC=250μA, VGE=0V
650
-
-
-
-
V
零栅压下集电极漏电流
ICES
VCE=650V, VGE=0V, TC=25℃
80
uA
Zero Gate Voltage Collector Current
正向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
forward
IGESF
VCE=0V, VGE =20V
VCE=0V, VGE =-20V
-
-
-
-
200 nA
-200 nA
反向栅极体漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
IGESR
通态特性 On-Characteristics
阈值电压
VGE(th) VCE = VGE , IC=250μA
4.5
-
-
6.5
2.4
V
V
Gate Threshold Voltage
饱和压降
VGE=15V IC=75A
Collector-Emmiter saturation VoltageVCESAT
1.7
Tc=25℃
动态特性 Dynamic Characteristics
输入电容
Cies
-
-
-
5012
430
-
-
-
pF
pF
pF
Input capacitance
VCE=25V,
VGE=0V,
输出电容
Coes
Output capacitance
f=1.0MHZ
反向传输电容
Cres
99.6
Reverse transfer capacitance
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅极-反射极 Gate to emitter charge
Qg
-
-
-
170
43
-
-
-
VCC=520V,Ic=75A,RG=7.9Ω,VGE=15V
TC=25℃
Qge
nC
栅极-集电极 Gate to collector charge Qgc
78
版本:202206A
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