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AT60142ET-DC20SSB

更新时间： 2025-07-29 22:08:19

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爱特美尔 - ATMEL		静态存储器
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17页	296K
描述
Rad Hard 512K x 8 Very Low Power CMOS SRAM

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AT60142ET-DC20SSB 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	DFP
包装说明：	DFP, FL36,.5	针数：	36
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.28
最长访问时间：	20 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDFP-F36	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DFP
封装等效代码：	FL36,.5	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.05 mm
最大待机电流：	0.0025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子形式：	FLAT	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
总剂量：	300k Rad(Si) V	宽度：	12.195 mm
Base Number Matches：	1

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Features

• Operating Voltage: 3.3V

• Access Time:

– 15 ns (Preview) for 3.3V biased only (AT60142E)

– 17 ns and 20 ns for 5V Tolerant (AT60142ET)

• Very Low Power Consumption

– Active: 810 mW (Max) @ 15 ns

– Standby: 215 µW (Typ)

• Wide Temperature Range: -55 to +125°C

• 500 Mils Width Package

• TTL-Compatible Inputs and Outputs

• Asynchronous

Rad Hard

• Designed on 0.25 Micron Process

• No Single Event Latch Up below LET Threshold of 80 MeV/mg/cm²

• Tested up to a Total Dose of 300 krads (Si) according to MIL-STD-883 Method 1019

• 500 Mils Wide FP36 Package

512K x 8

Very Low Power

CMOS SRAM

• ESD Better than 4000V

Description

The AT60142E/ET are very low power CMOS static RAM organized as 524 288 x 8

bits.

AT60142E

Atmel brings the solution to applications where fast computing is as mandatory as low

consumption, such as aerospace electronics, portable instruments, or embarked

systems.

AT60142ET

Utilizing an array of six transistors (6T) memory cells, the AT60142E/ET combine an

extremely low standby supply current (Typical value = 65 µA) with a fast access time

at 15 ns over the full military temperature range. The high stability of the 6T cell pro-

vides excellent protection against soft errors due to noise.

The E version is biased at 3.3 V and is not 5V tolerant: it is available to 15⁽¹⁾and 20 ns

specification.

The ET⁽¹⁾version is a variant allowing for 5V tolerance: it is available in 17 ns and 20

ns specification.

The AT60142E/ET are processed according to the methods of the latest revision of

the MIL PRF 38535 or ESA SCC 9000.

It is produced on a radiation hardened 0.25 µm CMOS process.

Note:

1. Preliminary: contact factory for availability.

Rev. 4156F–AERO–06/04

12 3 4 5 6 7...17

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