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AT49BV1614T-11TI PDF预览

AT49BV1614T-11TI

更新时间： 2024-01-07 18:10:35
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 闪存内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
18页 334K
描述
x8/x16 Flash EEPROM

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AT49BV1614T-11TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：PLASTIC, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.84Is Samacsys：N
最长访问时间：110 ns备用内存宽度：8
启动块：TOP命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,2,30端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP48,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：8K,32K,64K最大待机电流：0.00001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

AT49BV1614T-11TI 数据手册

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Features  
• 2.7V to 3.3V Read/Write  
• Access Time – 90 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Thirty 32K Word (64K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K Word (8K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Two 16K Word (32K Byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time – 20 µs  
• Fast Sector Erase Time – 200 ms  
• Dual-plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
Memory Plane A: Eight 4K Word, Two 16K Word and Six 32K Word Sectors  
Memory Plane B: Twenty-four 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low-power Operation  
16-megabit  
(1M x 16/2M x 8)  
3-volt Only  
– 25 mA Active  
– 10 µA Standby  
Flash Memory  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• Optional VPP Pin for Fast Programming  
• RESET Input for Device Initialization  
AT49BV1604  
AT49BV1604T  
AT49BV1614  
AT49BV1614T  
• Sector Program Unlock Command  
• TSOP, CBGA and µBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
Description  
The AT49BV16X4(T) is a 2.7- to 3.3-volt 16-megabit Flash memory organized as  
1,048,576 words of 16 bits each or 2,097,152 bytes of 8 bits each. The x16 data  
appears on I/O0 - I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The memory is divided  
into 40 sectors for erase operations. The device is offered in 48-lead TSOP and  
48-ball µBGA packages. The device has CE and OE control signals to avoid any bus  
Recommend Using  
AT49BV160(T)/161(T)  
for New Designs  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A19  
CE  
Function  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
READY/BUSY Output  
Optional Power Supply for Faster  
Program/Erase Operations  
VPP  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
BYTE  
NC  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
VCCQ  
DC  
Output Power Supply  
Don’t Connect  
Rev. 0925K–09/00  
1234567...18

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