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Datasheet > 存储 > 闪存> AT49BV1614T-90TC
AT49BV1614T-90TC PDF预览

AT49BV1614T-90TC

更新时间： 2024-02-21 05:35:49
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 闪存存储内存集成电路光电二极管异步传输模式ATM
页数 文件大小 规格书
18页 217K
描述
16-Megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory

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AT49BV1614T-90TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP1包装说明：PLASTIC, MO-142DD, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.55最长访问时间：90 ns
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
JESD-30 代码：R-PDSO-G48JESD-609代码：e0
长度：18.4 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,2,30
端子数量：48字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：8K,32K,64K
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mm

AT49BV1614T-90TC 数据手册

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Features  
• 2.7V to 3.6V Read/Write  
• Access Time - 90 ns  
• Sector Erase Architecture  
– Thirty 32K word (64K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Eight 4K word (8K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
– Two 16K word (32K byte) Sectors with Individual Write Lockout  
• Fast Word Program Time - 20 µs  
• Fast Sector Erase Time - 200 ms  
• Dual Plane Organization, Permitting Concurrent Read while Program/Erase  
– Memory Plane A: Eight 4K Word, Two 16K Word and Six 32K Word Sectors  
– Memory Plane B: Twenty-Four 32K Word Sectors  
• Erase Suspend Capability  
– Supports Reading/Programming Data from Any Sector by Suspending Erase of  
Any Different Sector  
• Low Power Operation  
16-Megabit  
(1M x 16/2M x 8)  
3-volt Only  
– 25 mA Active  
– 10 µA Standby  
Flash Memory  
• Data Polling, Toggle Bit, Ready/Busy for End of Program Detection  
• Optional VPP Pin for Fast Programming  
• RESET Input for Device Initialization  
• Sector Program Unlock Command  
• TSOP, CBGA, and µBGA Package Options  
• Top or Bottom Boot Block Configuration Available  
AT49BV1604  
AT49BV1604T  
AT49BV1614  
AT49BV1614T  
Advance  
Description  
The AT49BV16X4(T) is 2.7 to 3.6 volt 16-megabit Flash memory organized as  
1,048,576 words of 16 bits each or 2,097,152 bytes of 8 bits each. The x16 data  
appears on I/O0 - I/O15; the x8 data appears on I/O0 - I/O7. The memory is divided  
into 40 blocks for erase operations. The device is offered in 48-pin TSOP and 48-ball  
µBGA packages. The device has CE, and OE control signals to avoid any bus con-  
tention. This device can be read or reprogrammed using a single 2.7V power supply,  
Information  
AT49BV16X4(T)  
making it ideally suited for in-system programming.  
(continued)  
Pin Configurations  
Pin Name  
A0 - A19  
CE  
Function  
AT49BV1604  
Addresses  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
Reset  
OE  
WE  
RESET  
RDY/BUSY  
READY/BUSY Output  
Optional Power Supply for Faster  
Program/Erase Operations  
VPP  
I/O0 - I/O14  
I/O15 (A-1)  
Data Inputs/Outputs  
I/O15 (Data Input/Output, Word Mode)  
A-1 (LSB Address Input, Byte Mode)  
BYTE  
NC  
Selects Byte or Word Mode  
No Connect  
Rev. 0925B–05/98  
VCCQ  
DC  
Output Power Supply  
Don’t Connect  
1234567...18

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT49BV1614T-90TI ATMEL

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 		16-Megabit 1M x 16/2M x 8 3-volt Only Flash Memory
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