是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.1.B.1 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.23 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
JESD-30 代码: | R-CDIP-T32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 40.64 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 4.06 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 15.24 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C040-25BJSL703 | MICROCHIP |
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EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32 | |
AT28C040-25BM | ETC |
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x8 EEPROM | |
AT28C040-25BM/883 | ATMEL |
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EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32 | |
AT28C040-25FC | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM | |
AT28C040-25FI | ATMEL |
获取价格 |
4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM | |
AT28C040-25FISL703 | ATMEL |
获取价格 |
4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM | |
AT28C040-25FJ | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32 | |
AT28C040-25FJSL703 | MICROCHIP |
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EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, MO-115, FP-32 | |
AT28C040-25FL | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, MO-115, FP-32 | |
AT28C040-25FM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |