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AT28C04-15DM/883

更新时间： 2024-02-06 21:33:58

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器 ATM 异步传输模式内存集成电路
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2页	54K
描述
EEPROM, 512X8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24

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AT28C04-15DM/883 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP24,.6	针数：	24
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	AUTOMATIC WRITE	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-GDIP-T24	JESD-609代码：	e0
长度：	32.15 mm	内存密度：	4096 bit
内存集成电路类型：	EEPROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	24
字数：	512 words	字数代码：	512
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512X8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP24,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度：	5.72 mm	最大待机电流：	0.0001 A
子类别：	EEPROMs	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
宽度：	15.24 mm	最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms
Base Number Matches：	1

AT28C04-15DM/883 数据手册

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