是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | BOTTOM BRAZED, CERAMIC, MO-115, FP-32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.1.B.1 | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.49 | 最长访问时间: | 250 ns |
其他特性: | AUTOMATIC WRITE | JESD-30 代码: | R-CDFP-F32 |
JESD-609代码: | e3 | 长度: | 20.85 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码: | DFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3.05 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | FLAT |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 12.2 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C040-25FJSL703 | MICROCHIP |
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EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, MO-115, FP-32 |
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AT28C040-25FL | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, MO-115, FP-32 |
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AT28C040-25FM | ETC |
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x8 EEPROM |
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AT28C040-25FM/883 | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDFP32, BOTTOM BRAZED, CERAMIC, FP-32 |
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AT28C040-25LC | ATMEL |
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4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM |
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AT28C040-25LI | ATMEL |
获取价格 |
4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM |
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AT28C040-25LISL703 | ATMEL |
获取价格 |
4-Megabit 512K x 8 Paged E2PROM |
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AT28C040-25LJ | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC44 |
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AT28C040-25LJSL703 | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC44 |
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AT28C040-25LL | MICROCHIP |
获取价格 |
EEPROM, 512KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC44 |
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