AT27C256R-55PI

更新时间： 2024-01-30 23:16:36

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256K 32K x 8 OTP CMOS EPROM

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AT27C256R-55PI 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.6
最长访问时间：	55 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
长度：	11.8 mm	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	28
字数：	32768 words	字数代码：	32000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	32KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

AT27C256R-55PI 数据手册

Programming Waveforms ⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand

2.0V for V_IH.

3. When programming the AT27C256R a 0.1 µF capacitor is

required across V_PPand ground to suppress spurious voltage

transients.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but

must be accommodated by the programmer.

DC Programming Characteristics

T_A= 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, V_PP= 13.0 ± 0.25V

Test

Limits

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Units

µA

Max

Input Load Current

Input Low Level

Input High Level

Output Low Volt.

Output High Volt.

V_IN= V_IL,V_IH

±10

-0.6

2.0

0.8

V_CC+ 1

0.4

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

V_CCSupply Current

(Program and Verify)

CC2

PP2

V_PPCurrent

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

3-130

AT27C256R

1...3 4 567 8 9

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