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AT27C080-12DI

更新时间： 2024-01-29 00:48:42

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爱特美尔 - ATMEL		存储内存集成电路异步传输模式 ATM 可编程只读存储器电动程控只读存储器
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8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM

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AT27C080-12DI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP1	包装说明：	TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	120 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.0001 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AT27C080-12DI 数据手册

AT27C080

Block Diagram

Absolute Maximum Ratings*

*NOTICE:

Stresses beyond those listed under “Absolute

Maximum Ratings” may cause permanent

damage to the device. This is a stress rating

only and functional operation of the device at

these or any other conditions beyond those

indicated in the operational sections of this

specification is not implied. Exposure to abso-

lute maximum rating conditions for extended

periods may affect device reliability.

Temperature Under Bias ...................-55°C to +125°C

Storage Temperature.........................-65°C to +150°C

Voltage on Any Pin with

Respect to Ground ............................-2.0V to +7.0V⁽¹⁾

Voltage on A9 with

Respect to Ground .........................-2.0V to +14.0V⁽¹⁾

Note:

1. Minimum voltage is -0.6V DC which may

undershoot to -2.0V for pulses of less than 20

V_PPSupply Voltage with

Respect to Ground ..........................-2.0V to +14.0V⁽¹⁾

ns. Maximum output pin voltage is V_CC

0.75V DC which may overshoot to +7.0V for

pulses of less than 20 ns.

Integrated UV Erase Dose................ 7258 W•sec/cm²

Operating Modes

Mode/Pin

OE/V_PP

V_IL

Outputs

D_OUT

Read

V_IL

Output Disable

Standby

V_IH

X⁽¹⁾

High Z

D_IN

V_IH

V_IL

V_IH

Rapid Program⁽²⁾

V_PP

V_IL

PGM Verify

D_OUT

PGM Inhibit

V_PP

High Z

(3)

A9 = V_H

Product Identification⁽⁴⁾

V_IL

A0 = V_IHor V_ILIdentification Code

A1 - A19 = V_IL

Notes: 1. X can be V_ILor V_IH.

2. Refer to Programming Characteristics.

3. V_H= 12.0 ± 0.5V.

4. Two identifier bytes may be selected. All Ai inputs are held low (V_IL), except A9 which is set to V_Hand A0 which is toggled

low (V_IL) to select the Manufacturer’s Identification byte and high (V_IH) to select the Device Code byte.

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与AT27C080-12DI相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AT27C080-12DM	ATMEL	UVPROM, 1MX8, 120ns, CMOS, CDIP32, 0.600 INCH, WINDOWED, CERDIP-32	获取价格
AT27C080-12JC	ATMEL	8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM	获取价格
AT27C080-12JI	ATMEL	8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM	获取价格
AT27C080-12PC	ATMEL	8-Megabit 1M x 8 UV Erasable CMOS EPROM	获取价格
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