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AT27BV512-15TI

更新时间： 2024-02-29 07:11:54

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爱特美尔 - ATMEL		电池可编程只读存储器电动程控只读存储器
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9页	232K
描述
512K 64K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM

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AT27BV512-15TI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.3	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	CAN ALSO BE OPERATED AT 4.5V TO 5.5V RANGE	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	JESD-609代码：	e0
长度：	11.8 mm	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	OTP ROM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	OTP ROMs
最大压摆率：	0.02 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

AT27BV512-15TI 数据手册

AT27BV512

Programming Waveforms ⁽¹⁾

Notes: 1. The Input Timing Reference is 0.8V for V_ILand

2.0V for V_IH.

3. When programming the 27BV512, a 0.1 µF capacitor is re-

quired across V_PPand ground to supress spurious voltage

transients.

2. t_OEand t_DFPare characteristics of the device but must

be accommodated by the programmer.

DC Programming Characteristics

T_A= 25 ± 5°C, V_CC= 6.5 ± 0.25V, OE/V_PP= 13.0 ± 0.25V

Test

Limits

Symbol

Parameter

Conditions

Min

Units

µA

Max

±10

Input Load Current

V_IN= V_IL, V_IH

Input Low Level

-0.6

2.0

0.8

Input High Level

V_CC+ 0.5

0.4

Output Low Voltage

Output High Voltage

V_CCSupply Current (Program and Verify)

OE/V_PPCurrent

I_OL= 2.1 mA

I_OH= -400 µA

2.4

CC2

PP2

CE = V_IL

A9 Product Identification Voltage

11.5

12.5

3-19

1...4 5 678 9

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