是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.25 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 其他特性: | UNREGULATED BATTERY POWER SUPPLY RANGE |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 42.05 mm |
内存密度: | 4194304 bit | 内存集成电路类型: | OTP ROM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 1 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.59 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | OTP ROMs | 最大压摆率: | 0.008 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
AT27BV040-12PI | ATMEL | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
获取价格 |
|
AT27BV040-12TC | ATMEL | 4 Megabit 512K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM |
获取价格 |
|
AT27BV040-12TCT/R | ATMEL | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 |
获取价格 |
|
AT27BV040-12TI | ATMEL | 4 Megabit 512K x 8 Unregulated Battery-Voltage High Speed OTP CMOS EPROM |
获取价格 |
|
AT27BV040-12TIT/R | ATMEL | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, PLASTIC, TSOP-32 |
获取价格 |
|
AT27BV040-12TJ | ATMEL | OTP ROM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142BD, TSOP1-32 |
获取价格 |