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AS7C34096-10JCH

更新时间： 2024-01-15 11:45:33

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	269K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36

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AS7C34096-10JCH 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.66
最长访问时间：	10 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J36
长度：	23.5 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	36
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.76 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

AS7C34096-10JCH 数据手册

AS7C4096

AS7C34096

AC test conditions

- Output load: see Figure B or Figure C.

- Input pulse level: GND to 3.0V. See Figures A, B, and C.

- Input rise and fall times: 2 ns. See Figure A.

- Input and output timing reference levels: 1.5V.

Thevenin equivalent:

168W

+1.728V

OUT

+5V

+3.3V

320W

480W

+3.0V

GND

OUT

90%

10%

90%

10%

255W

C(14)

GND

350W

C(14)

GND

2 ns

Figure A: Input pulse

Figure C: 3.3V Output load

Figure B: 5V Output load

Notes

During V power-up, a pull-up resistor to V on CE is required to meet I specification.

CC CC SB

This parameter is sampled, but not 100% tested.

For test conditions, see AC Test Conditions.

and t

are specified with C = 5pF as in Figure C. Transition is measured 500 mV from steady-state voltage.

CHZ L

CLZ

This parameter is guaranteed, but not tested.

WE is HIGH for read cycle.

CE and OE are LOW for read cycle.

Address valid prior to or coincident with CE transition Low.

All read cycle timings are referenced from the last valid address to the first transitioning address.

10 CE or WE must be HIGH during address transitions. Either CE or WE asserting high terminates a write cycle.

11 All write cycle timings are referenced from the last valid address to the first transitioning address.

12 Not applicable.

13 C = 30pF, except at high Z and low Z parameters, where C = 5pF.

11/28/01; v.1.7

Alliance Semiconductor

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