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AS7C34096-10JCH

更新时间: 2024-02-18 01:39:36
品牌 Logo 应用领域
ALSC 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 269K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, SOJ-36

AS7C34096-10JCH 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:36
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A991.B.2.A
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.66
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J36
长度:23.5 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:36
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

AS7C34096-10JCH 数据手册

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AS7C4096  
AS7C34096  
®
ꢂꢃꢆ  
Read cycle (over the operating range)  
–10  
–12  
–15  
–20  
Parameter  
Read cycle time  
Symbol Min  
Max  
Min  
12  
Max  
Min  
15  
Max  
Min  
20  
Max Unit Notes  
tRC  
tAA  
tACE  
tOE  
10  
20  
20  
8
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
10  
10  
5
12  
12  
6
15  
15  
7
3
3
Chip enable (CE) access time  
Output enable (OE) access time  
Output hold from address change tOH  
3
3
3
3
3
5
CE Low to output in low Z  
CE High to output in high Z  
OE Low to output in low Z  
OE High to output in high Z  
Power up time  
tCLZ  
tCHZ  
tOLZ  
tOHZ  
tPU  
3
0
0
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
4, 5  
5
6
7
9
0
0
0
0
5
6
7
9
0
0
0
0
Power down time  
tPD  
10  
12  
15  
20  
Key to switching waveforms  
Rising input  
Falling input  
Undefined/don’t care  
ꢂꢃꢄꢃꢅꢃꢆ  
Read waveform 1 (address controlled)  
t
RC  
Address  
t
AA  
t
OH  
D
Data valid  
OUT  
ꢂꢃꢄꢃꢇꢃꢆ  
Read waveform 2 (CE, OE controlled)  
t
RC1  
CE  
t
OE  
OE  
t
t
OHZ  
OLZ  
t
t
ACE  
CHZ  
D
OUT  
Data valid  
t
CLZ  
t
PD  
I
I
CC  
t
Supply  
current  
PU  
SB  
50%  
50%  
11/28/01; v.1.7  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 10  

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