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AS7C251MNTD32A-167TQCN

更新时间： 2024-02-15 16:04:11
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟ISM频段静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100

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AS7C251MNTD32A-167TQCN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77最长访问时间：7.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：167 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3/e6长度：20 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：100字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.06 A最小待机电流：2.38 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C251MNTD32A-167TQCN 数据手册

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AS7C251MNTD32A  
AS7C251MNTD36A  
®
Signal descriptions  
Signal  
CLK  
I/O Properties Description  
I
I
I
CLOCK Clock. All inputs except OE, FT, LBO, and ZZ are synchronous to this clock.  
CEN  
SYNC  
SYNC  
SYNC  
Clock enable. When de-asserted high, the clock input signal is masked.  
Address. Sampled when all chip enables are active and ADV/LD is asserted.  
Data. Driven as output when the chip is enabled and OE is active.  
A, A0, A1  
DQ[a,b,c,d] I/O  
CE0, CE1,  
CE2  
Synchronous chip enables. Sampled at the rising edge of CLK, when ADV/LD is asserted.  
Are ignored when ADV/LD is high.  
I
SYNC  
Advance or Load. When sampled high, the internal burst address counter will increment in  
the order defined by the LBO input value. (refer to table on page 2) When low, a new  
address is loaded.  
ADV/LD  
R/W  
I
I
SYNC  
A high during LOAD initiates a READ operation. A low during LOAD initiates a WRITE  
operation. Is ignored when ADV/LD is high.  
SYNC  
SYNC  
Byte write enables. Used to control write on individual bytes. Sampled along with WRITE  
command and BURST WRITE.  
BW[a,b,c,d]  
OE  
I
I
I
ASYNC Asynchronous output enable. I/O pins are not driven when OE is inactive.  
Selects Burst mode. When tied to VDD or left floating, device follows interleaved Burst order. When  
STATIC  
LBO  
driven Low, device follows linear Burst order. This signal is internally pulled High.  
Selects Pipeline or Flow-through mode. When tied to VDD or left floating, enables Pipeline mode.  
STATIC  
FT  
I
When driven Low, enables single register Flow-through mode. This signal is internally pulled High.  
Serial data-out to the JTAG circuit. Delivers data on the negative edge of TCK. (BGA  
TDO  
TDI  
O
I
SYNC  
only)  
SYNC  
Serial data-in to the JTAG circuit. Sampled on the rising edge of TCK. (BGA only)  
This pin controls the Test Access Port state machine. Sampled on the rising edge of TCK.  
(BGA only)  
TMS  
I
SYNC  
Serial data-out to the JTAG circuit. Delivers data on the negative edge of TCK. (BGA  
only)  
TCK  
O
SYNC  
ZZ  
I
-
ASYNC Snooze. Places device in low power mode; data is retained. Connect to GND if unused.  
No connects.  
NC  
-
4/26/04, V 1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 5 of 22  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS7C251MNTD32A-167TQI ALSC

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