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AS4LC4M4F1-60TI

更新时间: 2024-01-21 18:14:12
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
14页 269K
描述
4M×4 CMOS DRAM (Fast Page) 3.3V Family

AS4LC4M4F1-60TI 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:SOP, TSOP24/26,.36
针数:26/24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.81Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:TSOP24/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):240电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:2048
自我刷新:YES最大待机电流:0.002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.11 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

AS4LC4M4F1-60TI 数据手册

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AS4LC4M4F1  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Vin  
Min  
Max  
Unit  
V
Input voltage  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-55  
4.6  
4.6  
4.6  
150  
Input voltage (DQs)  
VDQ  
VCC  
V
Power supply voltage  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
V
TSTG  
TSOLDER  
PD  
°C  
oC × sec  
260 × 10  
0.432  
50  
W
Short circuit output current  
Iout  
mA  
DC electrical characteristics  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol Test conditions  
Min Max Min Max Unit Notes  
0V Vin +Vcc(max)  
Input leakage current  
IIL  
-5  
+5  
+5  
-5  
-5  
+5  
+5  
µA  
µA  
Pins not under test = 0V  
Output leakage current IOL  
DOUT disabled, 0V Vout + Vcc(max) -5  
Operating power  
ICC1  
CAS, Address cycling; tRC=min  
RAS = CAS VIH  
120  
110  
mA  
1,2  
supply current  
TTL standby power  
ICC2  
2.0  
2.0  
mA  
mA  
supply current  
Average power supply  
current, RAS refresh  
mode or CBR  
RAS cycling, CAS VIH,  
ICC3  
120  
110  
1
t
RC = min of RAS low after CAS low.  
Fast page mode average  
power supply current  
RAS = VIL, CAS,  
address cycling: tHPC = min  
ICC4  
ICC5  
90  
80  
mA  
mA  
1, 2  
CMOS standby power  
supply current  
RAS = CAS = VCC - 0.2V  
2.0  
2.0  
VOH  
VOL  
IOUT = -2.0 mA  
IOUT = 2.0 mA  
2.4  
2.4  
V
V
Output voltage  
0.4  
0.4  
CAS before RAS refresh  
current  
ICC6  
RAS, CAS cycling, tRC = min  
120  
110  
mA  
RAS = CAS 0.2v,  
Self refresh current  
ICC7  
WE - OE VCC - 0.2V,  
-
0.6  
-
0.6  
mA  
all other inputs at 0.2V or VCC - 0.2V  
5/16/01; v.1.0 Restored  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 14  

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