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AS4LC4M4E1-50JC

更新时间： 2024-02-20 22:46:42
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页数 文件大小 规格书
15页 276K
描述
x4 EDO Page Mode DRAM

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AS4LC4M4E1-50JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SOP, TSOP24/26,.36
针数：26/24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.81Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G24JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：TSOP24/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：2048
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

AS4LC4M4E1-50JC 数据手册

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AS4LC4M4E1  
®
Hyper page mode cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tCPWD  
tCPA  
Parameter  
Min  
45  
–
Max  
–
Min  
52  
–
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
CAS precharge to WE delay time  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
100K  
–
35  
100K  
–
ns  
13  
tRASP  
tDOH  
tREZ  
50  
5
60  
5
ns  
Previous data hold time from CAS  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from WE  
Output buffer turn off delay from OE  
Hyper page mode cycle time  
Hyper page mode RMW cycle  
RAS hold time from CAS  
ns  
0
13  
13  
13  
–
0
15  
15  
15  
–
ns  
tWEZ  
0
0
ns  
tOEZ  
0
0
ns  
tHPC  
20  
47  
30  
25  
56  
35  
ns  
tHPRWC  
tRHCP  
–
–
ns  
–
–
ns  
Output enable  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
8
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
tOEH  
tOLZ  
8
–
10  
–
–
ns  
–
13  
–
15  
–
ns  
OE to data delay  
13  
0
15  
0
ns  
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
–
15  
–
ns  
8
10  
0
10  
0
ns  
–
–
ns  
tOFF  
0
13  
0
15  
ns  
8,10  
Self-refresh cycle  
-50  
-60  
Std  
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Min  
Max  
Unit  
Notes  
RAS pulse width  
(CBR self refresh)  
tRASS  
100  
–
100  
–
µs  
ns  
ns  
15  
RAS precharge time  
(CBR self refresh)  
tRPS  
90  
8
–
–
105  
10  
–
–
CAS hold time  
(CBR self refresh)  
tCHS  
5/1/01; V.1.3  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 15  
1...45678910...15

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