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AS4C4M4F0-60TI

更新时间： 2024-02-01 20:34:45

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ALSC		动态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F0-60TI 数据手册

AS4C4M4F0

AS4C4M4F1

Write cycle

-50

-60

Symbol Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit

Notes

t_WCS

t_WCH

t_WP

Write command setup time

Write command hold time

Write command pulse width

Write command to RAS lead time

Write command to CAS lead time

Data-in setup time

–

t_RWL

t_CWL

t_DS

–

t_DH

Data-in hold time

–

Read-modify-write cycle

-50

-60

Symbol Parameter

Min

113

Max

–

Min

135

Max

–

Unit

Notes

t_RWC

t_RWD

t_CWD

t_AWD

Read-write cycle time

RAS to WE delay time

–

CAS to WE delay time

–

Column address to WE delay time

–

Refresh cycle

-50

-60

Symbol

t_CSR

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit

Notes

CAS setup time (CAS-before-RAS)

CAS hold time (CAS-before-RAS)

RAS precharge to CAS hold time

t_CHR

–

t_RPC

–

CAS precharge time

(CBR counter test)

t_CPT

–

4/11/01; v.0.9

Alliance Semiconductor

P. 6 of 18

1...3 4 567 8 9...18

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