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Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C4M4F0-60JC
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AS4C4M4F0-60JC

更新时间： 2024-01-05 08:51:42
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 271K
描述
5V 4M×4 CMOS DRAM (Fast Page mode)

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AS4C4M4F0-60JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：SOP, TSOP24/26,.36
针数：26/24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.9访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：4
功能数量：1端口数量：1
端子数量：24字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：TSOP24/26,.36封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.12 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

AS4C4M4F0-60JC 数据手册

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AS4C4M4F0  
AS4C4M4F1  
®
Write cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit  
Notes  
11  
tWCS  
tWCH  
tWP  
Write command setup time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Write command hold time  
Write command pulse width  
Write command to RAS lead time  
Write command to CAS lead time  
Data-in setup time  
10  
10  
10  
8
–
10  
10  
10  
10  
0
–
11  
–
–
tRWL  
tCWL  
tDS  
–
–
–
–
0
–
–
12  
12  
tDH  
Data-in hold time  
8
–
10  
–
Read-modify-write cycle  
-50  
-60  
Symbol Parameter  
Min  
113  
67  
Max  
–
Min  
135  
77  
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
tRWC  
tRWD  
tCWD  
tAWD  
Read-write cycle time  
RAS to WE delay time  
–
–
ns  
11  
11  
11  
CAS to WE delay time  
32  
–
35  
–
ns  
Column address to WE delay time  
42  
–
47  
–
ns  
Refresh cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tCSR  
Parameter  
Min  
5
Max  
–
Min  
5
Max  
–
Unit  
ns  
Notes  
CAS setup time (CAS-before-RAS)  
CAS hold time (CAS-before-RAS)  
RAS precharge to CAS hold time  
3
3
tCHR  
8
–
10  
0
–
ns  
tRPC  
0
–
–
ns  
CAS precharge time  
(CBR counter test)  
tCPT  
10  
10  
–
ns  
4/11/01; v.0.9  
Alliance Semiconductor  
P. 6 of 18  
1...3456789...18

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