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Datasheet > 存储 > DRAM> AS4C256K16F0-50JC
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AS4C256K16F0-50JC

更新时间： 2024-01-25 09:49:26
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
25页 518K
描述
5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16F0-50JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP40/44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.54Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE最长访问时间：50 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G40JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：40字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP40/44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：512座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4C256K16F0-50JC 数据手册

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AS4C256K16FO  
®
AC parameters common to all waveforms  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to +70° C)  
CC  
a
–25  
–30  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Random read or write cycle time  
RAS precharge time  
Min Max Min Max Min Max Min Max Unit Notes  
tRC  
45  
15  
25  
4
–
–
65  
25  
30  
5
–
–
70  
25  
35  
6
–
–
85  
25  
50  
10  
15  
15  
10  
50  
5
–
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ms  
ns  
tRP  
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
RAS pulse width  
75K  
–
75K  
–
75K  
–
75K  
–
CAS pulse width  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
10  
8
17  
13  
–
15  
10  
10  
30  
5
20  
14  
–
16  
11  
10  
35  
5
24  
17  
–
35  
25  
–
6
7
tRSH(R) CAS to RAS hold time (read cycle)  
7
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS to CAS hold time  
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
20  
5
–
–
–
–
–
–
–
–
0
–
0
–
0
–
0
–
5
–
5
–
6
–
9
–
1.5  
–
50  
8
1.5  
–
50  
8
1.5  
–
50  
8
3
50  
8
4,5  
3
tREF  
tCLZ  
–
CAS to output in low Z  
0
–
0
–
0
–
3
–
8
Read cycle  
(V = 5V 10%, GND = 0V, T = 0° C to + 70° C)  
CC  
–30  
a
–25  
–35  
–50  
Standard  
Symbol  
Parameter  
Min Max Min Max Min  
Max Min Max Unit Notes  
tRAC  
tCAC  
tAA  
Access time from RAS  
Access time from CAS  
Access time from address  
–
–
25  
7
–
–
30  
10  
16  
–
–
–
35  
10  
18  
–
–
–
50  
10  
25  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
6
6,13  
7,13  
–
12  
–
–
–
–
tAR(R) Column add hold from RAS  
19  
0
26  
0
28  
0
30  
0
tRCS  
tRCH  
tRRH  
tRAL  
tCPN  
tOFF  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
Column address to RAS Lead time  
CAS precharge time  
–
–
–
–
0
–
0
–
0
–
0
–
9
9
0
–
0
–
0
–
0
–
12  
4
–
16  
3
–
18  
4
–
25  
5
–
–
–
–
–
Output buffer turn-off time  
0
6
0
8
0
8
0
8
8,10  
4/11/01; V.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 25  
1234567...25

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