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AS29LV800B-90SI

更新时间: 2024-02-05 00:29:42
品牌 Logo 应用领域
ANADIGICS 闪存内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
25页 440K
描述
3V 1M】8/512K】16 CMOS Flash EEPROM

AS29LV800B-90SI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1, TSSOP48,.8,20
针数:48Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.76Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM命令用户界面:YES
数据轮询:YES耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDSO-G48JESD-609代码:e0
长度:18.4 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,15
端子数量:48字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装等效代码:TSSOP48,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:16K,8K,32K,64K
最大待机电流:0.000005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:12 mmBase Number Matches:1

AS29LV800B-90SI 数据手册

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March 2001  
AS29LV800  
®
AC parameters — temporary sector unprotect  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol  
Std Symbol  
tVIDR  
Parameter  
rise and fall time  
Min  
Max  
-
Unit  
ns  
V
500  
ID  
RESET setup time for temporary sector  
unprotect  
tRSP  
4
-
µs  
Temporary sector unprotect waveform  
10V  
RESET  
0 or 3V  
tVIDR  
0 or 3V  
tVIDR  
Program/erase command sequence  
CE  
WE  
tRSP  
RY/BY  
AC parameters — RESET  
-70R/80/90/120  
JEDEC  
Symbol  
Std Symbol  
tRP  
Parameter  
Min  
Max  
-
Unit  
ns  
RESET pulse  
500  
tRH  
-
-
50  
10  
ns  
RESET High time before Read  
RESET Low to Read mode  
tREADY  
µs  
RESET waveform  
tRP  
tRP  
RESET  
tREADY  
RY/BY  
tRH  
status  
status  
valid data  
valid data  
DQ  
Erase waveform  
×16 mode  
tWC  
tAS  
Addresses  
CE  
555h  
2AAh  
555h  
tAH  
555h  
2AAh  
Sector address  
t
GHWL  
OE  
t
t
WC  
WP  
WE  
t
WPH  
t
CS  
10h for Chip Erase  
30h  
t
DH  
AAh  
55h  
80h  
AAh  
55h  
Data  
t
DS  
3/22/01; V.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 19 of 25  

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