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Datasheet > 暂无类别数据> AS29F200T-70TC
AS29F200T-70TC PDF预览

AS29F200T-70TC

更新时间： 2024-01-15 23:00:35
品牌 Logo 应用领域
ALSC 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
20页 357K
描述
5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

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AS29F200T-70TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：12 X 20 MM, TSOP-48
针数：48Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.85Is Samacsys：N
最长访问时间：70 ns其他特性：10K WRITE/ERASE CYCLE ENDURANCE
备用内存宽度：8启动块：TOP
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e0长度：18.4 mm
内存密度：2097152 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：1,2,1,3端子数量：48
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：128KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装等效代码：TSSOP48,.8,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：16K,8K,32K,64K
最大待机电流：0.000001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

AS29F200T-70TC 数据手册

 浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS29F200T-70TC的Datasheet PDF文件第7页 
$65<)533  
3UHOLPLQDU\#LQIRUPDWLRQ  
®
)OH[LEOH#VHFWRU#DUFKLWHFWXUH  
Bottom boot sector architecture (AS29F200B)  
Top boot sector architecture (AS29F200T)  
Size  
Size  
Sector  
×8  
×16  
(Kbytes)  
×8  
×16  
(Kbytes)  
0
1
2
3
4
5
6
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04000h–05FFFh  
06000h–07FFFh  
08000h–0FFFFh  
10000h–1FFFFh  
20000h–2FFFFh  
30000h–3FFFFh  
00000h–01FFFh  
02000h–02FFFh  
03000h–03FFFh  
04000h–07FFFh  
08000h–0FFFFh  
10000h–17FFFh  
18000h–1FFFFh  
16  
8
00000h–0FFFFh  
10000h–1FFFFh  
20000h–2FFFFh  
30000h–37FFFh  
38000h–39FFFh  
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18000h–1BFFFh  
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1E000h–1FFFFh  
64  
64  
64  
32  
8
8
32  
64  
64  
64  
8
16  
In word mode, there are one 8K word, two 4K word, one 16K word, and three 32K word sectors. Address range is A16–A-1 if BYTE = V ; address range is  
IL  
A16–A0 if BYTE = V .  
IH  
,'#6HFWRU#DGGUHVV#WDEOH  
Bottom boot sector address (AS29F200B)  
Top boot sector address (AS29F200T)  
Sector  
A16  
0
A15  
0
A14  
0
A13  
0
A12  
X
0
A16  
0
A15  
0
A14  
X
X
X
0
A13  
X
X
X
X
0
A12  
X
X
X
X
0
0
1
2
3
4
5
6
0
0
0
1
0
1
0
0
0
1
1
1
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
1
1
0
1
X
X
X
1
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
X
2SHUDWLQJ#PRGHV  
Mode  
CE  
L
OE  
L
WE  
A0  
A1  
L
A6  
L
A9  
RESET  
H
DQ  
ID read MFR code  
ID read device code  
Read  
H
L
V
Code  
ID  
L
L
H
H
A0  
X
X
A0  
L
L
L
V
H
Code  
ID  
L
L
H
A1  
X
A6  
X
X
A6  
L
A9  
X
H
DOUT  
High Z  
High Z  
Standby  
H
L
X
H
H
X
H
Output disable  
Write  
H
X
X
H
L
L
A1  
H
A9  
H
D
IN  
Enable sector protect  
Sector unprotect  
Verify sector protect  
L
V
Pulse/ L  
Pulse/ L  
H
V
H
X
ID  
ID  
L
V
L
H
H
L
V
H
X
ID  
ID  
L
L
L
H
V
H
Code  
ID  
Temporary sector  
unprotect  
X
X
X
X
X
X
X
V
X
ID  
Hardware Reset  
X
X
X
X
X
X
X
L
High Z  
L = Low (<V ); H = High (>V ); V = 12.0 ± 0.5V; X = don’t care; In ×16 mode, BYTE = V . In ×8 mode, BYTE = V and DQ8–14 is High Z with  
IL  
IH  
ID  
IH  
IL  
DQ15 = A-1(X).  
','#4407333<0$1#72:233  
$//,$1&(#6(0,&21'8&725  
6
1234567...20

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS29F200T-70TI ALSC 5V 256K x 8/128K x 8 CMOS FLASH EEPROM

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