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AS29F010CW-50/Q

更新时间： 2024-02-22 09:13:05

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AUSTIN		/
页数	文件大小	规格书
26页	521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

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AS29F010CW-50/Q 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	50 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	YES
耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CDIP-T32
长度：	41.7322 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	MIL-STD-883	座面最大高度：	5.1308 mm
部门规模：	16K	最大待机电流：	0.0016 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

AS29F010CW-50/Q 数据手册

FLASH

AS29F010

Austin Semiconductor, Inc.

cpmmrnd ꢃeqsence. The Eꢂrꢃe Ssꢃꢁend cpmmrnd iꢃ ignpꢂed if

oꢂiaaen dsꢂing ahe chiꢁ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn pꢂ Embedded Pꢂpgꢂrm

rlgpꢂiahm. Wꢂiaing ahe Eꢂrꢃe Ssꢃꢁeca cpmmrnd dsꢂing ahe

Secapꢂ Eꢂrꢃe aime-psa immediraelꢄ aeꢂminraeꢃ ahe aime-psa ꢁeꢂipd

rnd ꢃsꢃꢁendꢃ ahe eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn. Addꢂeꢃꢃeꢃ rꢂe “dpn’a crꢂeꢃ”

ohen oꢂiaing ahe Eꢂrꢃe Ssꢃꢁeca cpmmrnd.

When ahe Eꢂrꢃe Ssꢃꢁeca cpmmrnd iꢃ oꢂiaaen dsꢂing r

ꢃecapꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn, ahe device ꢂeqsiꢂeꢃ r mrximsm pf 20µꢃ

ap ꢃsꢃꢁend ahe eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn. Hpoeveꢂ, ohen ahe Eꢂrꢃe

Ssꢃꢁeca cpmmrnd iꢃ oꢂiaaen dsꢂing ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe aime-psa,

ahe device immediraelꢄ aeꢂminraeꢃ ahe aime-psa ꢁeꢂipd rnd

ꢃsꢃꢁendꢃ ahe eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn.

Afaeꢂ ahe eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn hrꢃ been ꢃsꢃꢁecaed, ahe ꢃꢄꢃaem

crn ꢂerd rꢂꢂrꢄ drar fꢂpm rnꢄ ꢃecapꢂ npa ꢃelecaed fpꢂ eꢂrꢃsꢂe.

(The device “eꢂrꢃe ꢃsꢃꢁendꢃ” rll ꢃecapꢂꢃ ꢃelecaed fpꢂ eꢂrꢃsꢂe.)

Npꢂmrl ꢂerd rnd oꢂiae aimingꢃ rnd cpmmrnd definiaipnꢃ rꢁꢁlꢄ.

Rerding ra rnꢄ rddꢂeꢃꢃ oiahin eꢂrꢃe-ꢃsꢃꢁended ꢃecapꢂꢃ

ꢁꢂpdsceꢃ ꢃarasꢃ drar pn DQ7-DQ0. The ꢃꢄꢃaem crn sꢃe DQ7

ap deaeꢂmine if r ꢃecapꢂ iꢃ rcaivelꢄ eꢂrꢃing pꢂ iꢃ eꢂrꢃe-ꢃsꢃꢁended.

See “Wꢂiae Oꢁeꢂraipn Sarasꢃ” fpꢂ infpꢂmraipn pn aheꢃe ꢃarasꢃ

biaꢃ.

Sector Erase Command Sequence

Secapꢂ eꢂrꢃe iꢃ r ꢃix bsꢃ cꢄcle pꢁeꢂraipn. The ꢃecapꢂ eꢂrꢃe

cpmmrnd ꢃeqsence iꢃ iniairaed bꢄ oꢂiaing aop snlpck cꢄcleꢃ,

fpllpoed bꢄ r ꢃea-sꢁ cpmmrnd. Top rddiaipnrl snlpck oꢂiae

cꢄcleꢃ rꢂe ahen fpllpoed bꢄ ahe rddꢂeꢃꢃꢃ pf ahe ꢃecapꢂ ap be

eꢂrꢃed, rnd ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe cpmmrnd. The Cpmmrnd

Definiaipnꢃ arble ꢃhpoꢃ ahe rddꢂeꢃꢃ rnd drar ꢂeqsiꢂemenaꢃ fpꢂ

ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe cpmmrnd ꢃeqsence.

The device dpeꢃ not ꢂeqsiꢂe ahe ꢃꢄꢃaem ap ꢁꢂeꢁꢂpgꢂrm ahe

mempꢂꢄ ꢁꢂipꢂ ap eꢂrꢃe. The Embedded Eꢂrꢃe rlgpꢂiahm

rsapmraicrllꢄ ꢁꢂpgꢂrmꢃ rnd veꢂifieꢃ ahe ꢃecapꢂ fpꢂ rn rll zeꢂp

drar ꢁraaeꢂn ꢁꢂipꢂ ap elecaꢂicrl eꢂrꢃe. The ꢃꢄꢃaem iꢃ npa ꢂeqsiꢂed

ap ꢁꢂpvide rnꢄ cpnaꢂplꢃ pꢂ aimingꢃ dsꢂing aheꢃe pꢁeꢂraipnꢃ.

Afaeꢂ ahe cpmmrnd ꢃeqsence iꢃ oꢂiaaen, r ꢃecapꢂ eꢂrꢃe

aime-psa pf 50µꢃ beginꢃ. Dsꢂing ahe aime-psa ꢁeꢂipd, rddiaipnrl

ꢃecapꢂ rddꢂeꢃꢃeꢃ rnd ꢃecapꢂ eꢂrꢃe cpmmrndꢃ mrꢄ be oꢂiaaen.

Lprding ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe bsffeꢂ mrꢄ be dpne in rnꢄ ꢃeqsence,

rnd ahe nsmbeꢂ pf ꢃecapꢂꢃ mrꢄ be fꢂpm pne ꢃecapꢂ ap rll ꢃecapꢂꢃ.

The aime beaoeen aheꢃe rddiaipnrl cꢄcleꢃ msꢃa be leꢃꢃ ahrn

50µꢃ, paheꢂoiꢃe ahe lrꢃa rddꢂeꢃꢃ rnd cpmmrnd migha npa be

rcceꢁaed, rnd eꢂrꢃsꢂe mrꢄ begin. Ia iꢃ ꢂecpmmended ahra

ꢁꢂpceꢃꢃpꢂ inaeꢂꢂsꢁaꢃ be diꢃrbled dsꢂing ahiꢃ aime ap enꢃsꢂe rll

cpmmrndꢃ rꢂe rcceꢁaed. The inaeꢂꢂsꢁaꢃ crn be ꢂe-enrbled rfaeꢂ

ahe lrꢃa Secapꢂ Eꢂrꢃe cpmmrnd iꢃ oꢂiaaen. If ahe aime beaoeen

rddiaipnrl ꢃecapꢂ eꢂrꢃe cpmmrndꢃ crn be rꢃꢃsmed ap be leꢃꢃ

ahrn 50µꢃ, ahe ꢃꢄꢃaem need npa mpniapꢂ DQ3. Any command

during the time-out period resets the device to reading array

data. The ꢃꢄꢃaem msꢃa ꢂeoꢂiae ahe cpmmrnd ꢃeqsence rnd rnꢄ

rddiaipnrl ꢃecapꢂ rddꢂeꢃꢃeꢃ rnd cpmmrndꢃ.

Afaeꢂ rn eꢂrꢃe-ꢃsꢃꢁended ꢁꢂpgꢂrm pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleae,

ahe ꢃꢄꢃaem crn pnce rgrin ꢂerd rꢂꢂrꢄ drar oiahin

FIGURE 2: ERASE OPERATION

The ꢃꢄꢃaem crn mpniapꢂ DQ3 ap deaeꢂmine if ahe ꢃecapꢂ

eꢂrꢃe aimeꢂ hrꢃ aimed psa. (See ahe “DQ3: Secapꢂ Eꢂrꢃe Timeꢂ”

ꢃecaipn.) The aime-psa beginꢃ fꢂpm ahe ꢂiꢃing edge pf ahe finrl

WE\ ꢁslꢃe in ahe cpmmrnd ꢃeqsence.

Once ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn hrꢃ begsn, rll paheꢂ

cpmmrndꢃ rꢂe ignpꢂed.

When ahe Embedded Eꢂrꢃe rlgpꢂiahm iꢃ cpmꢁleae, ahe

device ꢂeasꢂnꢃ ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar rnd rddꢂeꢃꢃeꢃ rꢂe np lpngeꢂ

lrached. The ꢃꢄꢃaem crn deaeꢂmine ahe ꢃarasꢃ pf ahe eꢂrꢃe

pꢁeꢂraipn bꢄ sꢃing DQ7 pꢂ DQ6. Refeꢂ ap “Wꢂiae Oꢁeꢂraipn

Sarasꢃ” fpꢂ infpꢂmraipn pn aheꢃe ꢃarasꢃ biaꢃ.

Figsꢂe 2 illsꢃaꢂraeꢃ ahe rlgpꢂiahm fpꢂ ahe eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn.

Refeꢂ ap ahe Eꢂrꢃe/Pꢂpgꢂrm Oꢁeꢂraipnꢃ arbleꢃ in ahe “AC

Chrꢂrcaeꢂiꢃaicꢃ” ꢃecaipn fpꢂ ꢁrꢂrmeaeꢂꢃ, rnd ap ahe Secapꢂ Eꢂrꢃe

Oꢁeꢂraipnꢃ Timing dirgꢂrm fpꢂ aiming orvefpꢂmꢃ.

Erase Suspend/Erase Resume Commands

The Eꢂrꢃe Ssꢃꢁeca cpmmrnd rllpoꢃ ahe ꢃꢄꢃaem ap

inaeꢂꢂsꢁa r ꢃecapꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn rnd ahen ꢂerd drar fꢂpm, pꢂ

ꢁꢂpgꢂrm drar ap, rnꢄ ꢃecapꢂ npa ꢃelecaed fpꢂ eꢂrꢃsꢂe. Thiꢃ

cpmmrnd iꢃ vrlid pnlꢄ dsꢂing ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn,

inclsding ahe 50µꢃ aime-psa ꢁeꢂipd dsꢂing ahe ꢃecapꢂ eꢂrꢃe

NOTE:

±) See ahe rꢁꢁꢂpꢁꢂirae Cpmmrnd Definiaipnꢃ arble fpꢂ ꢁꢂpgꢂrm

cpmmrnd ꢃeqsence.

2) See “DQ3: Secapꢂ Eꢂrꢃe Timeꢂ” fpꢂ mpꢂe infpꢂmraipn.

AS29F010

AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

Rev. 2.3 12/08

1...5 6 789 10 11...26

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS29F010CW-50/XT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-6/883C	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-6/IT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-6/Q	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-6/XT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-60/883C	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格

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