5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AS29F010CW-150/IT
AS29F010CW-150/IT PDF预览

AS29F010CW-150/IT

更新时间： 2024-02-03 00:09:12
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
26页 521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

阅读下载

获取价格

AS29F010CW-150/IT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.91
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
命令用户界面：YES数据轮询：YES
耐久性：1000000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：R-CDIP-T32
长度：41.7322 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1部门数/规模：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：128KX8封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP32,.6
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：MIL-STD-883座面最大高度：5.1308 mm
部门规模：16K最大待机电流：0.0016 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

AS29F010CW-150/IT 数据手册

 浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号AS29F010CW-150/IT的Datasheet PDF文件第9页 
FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
eꢂrꢃe ciꢂcsiaꢃ rꢂe diꢃrbled, rnd ahe device ꢂeꢃeaꢃ. Ssbꢃeqsena  
oꢂiaeꢃ rꢂe ignpꢂed snail VCC iꢃ gꢂeraeꢂ ahrn VLKO. The ꢃꢄꢃaem  
msꢃa ꢁꢂpvide ahe ꢁꢂpꢁeꢂ ꢃignrlꢃ ap ahe cpnaꢂpl ꢁinꢃ ap ꢁꢂevena device ꢁpoeꢂ-sꢁ. Np cpmmrndꢃ rꢂe ꢂeqsiꢂed ap ꢂeaꢂieve drar.  
Reading Array Data  
The device iꢃ rsapmraicrllꢄ ꢃea ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar rfaeꢂ  
The device iꢃ rlꢃp ꢂerdꢄ ap ꢂerd rꢂꢂrꢄ drar rfaeꢂ cpmꢁleaing rn  
Embedded Pꢂpgꢂrm pꢂ Embedded Eꢂrꢃe rlgpꢂiahm.  
sninaenaipnrl oꢂiaeꢃ ohen VCC iꢃ gꢂeraeꢂ ahrn VLKO  
.
The ꢃꢄꢃaem must iꢃꢃse ahe ꢂeꢃea cpmmrnd ap ꢂe-enrble ahe  
device fpꢂ ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar if DQ5 gpeꢃ high, pꢂ ohile in ahe  
rsapꢃeleca mpde. See ahe “Reꢃea Cpmmrnd” ꢃecaipn, nexa.  
See rlꢃp “Reqsiꢂemenaꢃ fpꢂ Rerding Aꢂꢂrꢄ Drar” in ahe  
“Device Bsꢃ Oꢁeꢂraipnꢃ” ꢃecaipn fpꢂ mpꢂe infpꢂmraipn. The  
Rerd Oꢁeꢂraipnꢃ arble ꢁꢂpvideꢃ ahe ꢂerd ꢁrꢂrmeaeꢂꢃ, rnd ahe  
Rerd Oꢁeꢂraipn Timingꢃ dirgꢂrm ꢃhpoꢃ ahe aiming dirgꢂrm.  
Write Pulse “Glitch” Protection  
Npiꢃe ꢁslꢃeꢃ pf leꢃꢃ ahrn 5nꢃ (aꢄꢁicrl) pn OE\, CE\, pꢂ WE\  
dp npa iniairae r oꢂiae cꢄcle.  
Logical Inhibit  
Wꢂiae cꢄcleꢃ rꢂe inhibiaed bꢄ hplding rnꢄ pne pf OE\ = VIL,  
CE\ = VIH pꢂ WE\ = VIH. Tp iniairae r oꢂiae cꢄcle, CE\ rnd WE\  
msꢃa be r lpgicrl zeꢂp ohile OE\ iꢃ r lpgicrl pne.  
Reset Command  
Wꢂiaing ahe ꢂeꢃea cpmmrnd ap ahe device ꢂeꢃeaꢃ ahe device  
ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar. Addꢂeꢃꢃ biaꢃ rꢂe dpn’a crꢂe fpꢂ ahiꢃ  
cpmmrnd.  
The ꢂeꢃea cpmmrnd mrꢄ be oꢂiaaen beaoeen ahe ꢃeqsence  
cꢄcleꢃ in rn eꢂrꢃe cpmmrnd ꢃeqsence befpꢂe eꢂrꢃing beginꢃ.  
Thiꢃ ꢂeꢃeaꢃ ahe device ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar. Once eꢂrꢃsꢂe  
beginꢃ, hpoeveꢂ, ahe device ignpꢂeꢃ ꢂeꢃea cpmmrndꢃ snail ahe  
pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleae.  
The ꢂeꢃea cpmmrnd mrꢄ be oꢂiaaen beaoeen ahe ꢃeqsence  
cꢄcleꢃ in r ꢁꢂpgꢂrm cpmmrnd ꢃeqsence befpꢂe ꢁꢂpgꢂrmming  
beginꢃ. Thiꢃ ꢂeꢃeaꢃ ahe device ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar. Once  
ꢁꢂpgꢂrmming beginꢃ, hpoeveꢂ, ahe device ignpꢂeꢃ ꢂeꢃea cpm-  
mrndꢃ snail ahe pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleae.  
The ꢂeꢃea cpmmrnd mrꢄ be oꢂiaaen beaoeen ahe ꢃeqsence  
cꢄcleꢃ in rn rsapꢃeleca cpmmrnd ꢃeqsence. Once in ahe  
rsapꢃeleca mpde, ahe ꢂeꢃea cpmmrnd must be oꢂiaaen ap ꢂeasꢂn  
ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar.  
Power-Up Write Inhibit  
If WE\ = CE\ = VIL rnd OE\ = VIH dsꢂing ꢁpoeꢂ sꢁ, ahe  
device dpeꢃ npa rcceꢁa cpmmrndꢃ pn ahe ꢂiꢃing edge pf WE\.  
The inaeꢂnrl ꢃarae mrchine iꢃ rsapmraicrllꢄ ꢂeꢃea ap ꢂerding  
rꢂꢂrꢄ drar pn ꢁpoeꢂ-sꢁ.  
COMMAND DEFINITIONS  
Wꢂiaing ꢃꢁecific rddꢂeꢃꢃ rnd drar cpmmrndꢃ pꢂ ꢃeqsenceꢃ  
inap ahe cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ iniairaeꢃ device pꢁeꢂraipnꢃ. The  
Cpmmrnd Definiaipnꢃ arble defineꢃ ahe vrlid ꢂegiꢃaeꢂ cpmmrnd  
ꢃeqsenceꢃ. Wꢂiaing incorrect address and data values pꢂ  
oꢂiaing ahem in ahe improper sequence ꢂeꢃeaꢃ ahe device ap  
ꢂerding rꢂꢂrꢄ drar.  
All rddꢂeꢃꢃeꢃ rꢂe lrached pn ahe frlling edge pf WE\ pꢂ  
CE\, ohicheveꢂ hrꢁꢁenꢃ fiꢂꢃa. Refeꢂ ap ahe rꢁꢁꢂpꢁꢂirae aiming  
dirgꢂrmꢃ in ahe “AC Chrꢂrcaeꢂiꢃaicꢃ” ꢃecaipn.  
If DQ5 gpeꢃ high dsꢂing r ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipn,  
oꢂiaing ahe ꢂeꢃea cpmmrnd ꢂeasꢂnꢃ ahe device ap ꢂerding rꢂꢂrꢄ  
drar.  
TABLE 3: Autoselect Codes (High Voltage Method)  
A8  
to  
A7  
A5  
to  
A2  
A16 to A13 to  
A14 A10  
DESCRIPTION  
CE\  
OE\ WE\  
A9  
A6  
A1  
A0 DQ7 to DQ0  
Manufacturer ID  
Device ID  
L
L
L
L
H
H
X
X
X
X
V
V
X
X
L
L
X
X
L
L
L
01h  
20h  
ID  
H
ID  
01h  
(protected)  
Sector Protection  
Verification  
L
L
H
SA  
X
V
X
L
X
H
L
ID  
00h  
(unprotected)  
NOTE: L = Lpgic Lpo = VIL, H = Lpgic High = VIH, SA = Secapꢂ Addꢂeꢃꢃ, X = Dpn’a Crꢂe  
AS29F010  
Rev. 2.3 12/08  
6
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
1...3456789...26

下载PDF

与AS29F010CW-150/IT相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS29F010CW-150/Q AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格
AS29F010CW-150/XT AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格
AS29F010CW-5/883C AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格
AS29F010CW-50/883C AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格
AS29F010CW-50/IT AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格
AS29F010CW-50/Q AUSTIN 128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

获取价格

与AS29F010CW-150/IT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证