Datasheet > AS29F010CW-120/XT

AS29F010CW-120/XT

更新时间： 2024-02-27 19:09:55

品牌	Logo	应用领域
AUSTIN		/
页数	文件大小	规格书
26页	521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AS29F010CW-120/XT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP32,.6	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.91
最长访问时间：	120 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	YES	耐久性：	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-CDIP-T32	长度：	41.7322 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	128KX8
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP32,.6	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	MIL-STD-883
座面最大高度：	5.1308 mm	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.0016 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	15.24 mm	Base Number Matches：	1

FLASH

AS29F010

Austin Semiconductor, Inc.

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

AS29F010

AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.

Rev. 2.3 12/08

1 234 5 6 7...26

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS29F010CW-15/883C	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-15/IT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-15/Q	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-15/XT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-150/883C	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格
AS29F010CW-150/IT	AUSTIN	128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY	获取价格