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AS29F010CW-120/XT PDF预览

AS29F010CW-120/XT

更新时间： 2024-02-03 23:14:10
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN /
页数 文件大小 规格书
26页 521K
描述
128K x 8 FLASH UNIFORM SECTOR 5.0V FLASH MEMORY

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AS29F010CW-120/XT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP32,.6针数：32
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.91
最长访问时间：120 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YES耐久性：1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：R-CDIP-T32长度：41.7322 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：8端子数量：32
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：128KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装等效代码：DIP32,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V编程电压：5 V
认证状态：Not Qualified筛选级别：MIL-STD-883
座面最大高度：5.1308 mm部门规模：16K
最大待机电流：0.0016 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

AS29F010CW-120/XT 数据手册

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FLASH  
AS29F010  
Austin Semiconductor, Inc.  
GENERAL DESCRIPTION  
The AS29F0±0 iꢃ r ±Mbia, 5.0 Vpla-pnlꢄ FLASH mempꢂꢄ  
Device eꢂrꢃsꢂe pccsꢂꢃ bꢄ execsaing ahe eꢂrꢃe cpmmrnd  
pꢂgrnized rꢃ ±3±,072 bꢄaeꢃ. The AS29F0±0 iꢃ pffeꢂed in r 32-ꢁin ꢃeqsence. Thiꢃ invpkeꢃ ahe Embedded Eꢂrꢃe rlgpꢂiahm -- rn  
CDIP ꢁrckrge. The bꢄae-oide drar rꢁꢁerꢂꢃ pn DQ0-DQ7. The inaeꢂnrl rlgpꢂiahm ahra rsapmraicrllꢄ ꢁꢂeꢁꢂpgꢂrmꢃ ahe rꢂꢂrꢄ (if ia  
device iꢃ deꢃigned ap be ꢁꢂpgꢂrmmed in-ꢃꢄꢃaem oiah ahe iꢃ npa rlꢂerdꢄ ꢁꢂpgꢂrmmed) befpꢂe execsaing ahe eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipn. Dsꢂing eꢂrꢃe, ahe device rsapmraicrllꢄ aimeꢃ ahe  
eꢂrꢃe ꢁslꢃe oidahꢃ rnd veꢂifieꢃ ꢁꢂpꢁeꢂ cell mrꢂgin.  
The hpꢃa ꢃꢄꢃaem crn deaeca oheaheꢂ r ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipn iꢃ cpmꢁleae bꢄ ꢂerding ahe DQ7 (Drar\Pplling) rnd  
DQ6 (apggle) ꢃarasꢃ biaꢃ. Afaeꢂ r ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe cꢄcle hrꢃ  
been cpmꢁleaed, ahe device iꢃ ꢂerdꢄ ap ꢂerd rꢂꢂrꢄ drar pꢂ rcceꢁa  
rnpaheꢂ cpmmrnd.  
The ꢃecapꢂ eꢂrꢃe rꢂchiaecasꢂe rllpoꢃ mempꢂꢄ ꢃecapꢂꢃ ap be  
eꢂrꢃed rnd ꢂeꢁꢂpgꢂrmmed oiahpsa rffecaing ahe drar cpnaenaꢃ  
pf paheꢂ ꢃecapꢂꢃ. The device iꢃ eꢂrꢃed ohen ꢃhiꢁꢁed fꢂpm ahe  
frcapꢂꢄ.  
ꢃarndrꢂd ꢃꢄꢃaem 5.0 Vpla VCC ꢃsꢁꢁlꢄ. A ±2.0 vpla VPP iꢃ npa  
ꢂeqsiꢂed fpꢂ ꢁꢂpgꢂrm pꢂ eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ. The device crn rlꢃp  
be ꢁꢂpgꢂrmmed pꢂ eꢂrꢃed in ꢃarndrꢂd EPROM ꢁꢂpgꢂrmmeꢂꢃ.  
Thiꢃ device iꢃ mrnsfrcasꢂed sꢃing 0.32 µm ꢁꢂpceꢃꢃ  
aechnplpgꢄ. Ia iꢃ rvrilrble oiah rcceꢃꢃ aimeꢃ pf 50, 60, 70, 90,  
±20, rnd ±50nꢃ, rllpoing high-ꢃꢁeed micꢂpꢁꢂpceꢃꢃpꢂꢃ ap  
pꢁeꢂrae oiahpsa oria ꢃaraeꢃ. Tp eliminrae bsꢃ cpnaenaipn ahe  
device hrꢃ ꢃeꢁrꢂrae chiꢁ enrble (CE\), oꢂiae enrble (WE\), rnd  
psaꢁsa enrble (OE\) cpnaꢂplꢃ.  
The device ꢂeqsiꢂeꢃ pnlꢄ r ꢃingle 5.0 vpla ꢁpoeꢂ ꢃsꢁꢁlꢄ fpꢂ  
bpah ꢂerd rnd oꢂiae fsncaipnꢃ. Inaeꢂnrllꢄ geneꢂraed rnd  
ꢂegslraed vplargeꢃ rꢂe ꢁꢂpvided fpꢂ ahe ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe  
pꢁeꢂraipnꢃ.  
The hrꢂdorꢂe drar ꢁꢂpaecaipn merꢃsꢂeꢃ inclsde r lpo VCC  
deaecapꢂ ahra rsapmraicrllꢄ inhibiaꢃ oꢂiae pꢁeꢂraipnꢃ dsꢂing  
The device iꢃ enaiꢂelꢄ cpmmrnd ꢃea cpmꢁraible oiah ahe ꢁpoeꢂ aꢂrnꢃiaipnꢃ. The hrꢂdorꢂe ꢃecapꢂ ꢁꢂpaecaipn ferasꢂe  
JEDEC ꢃingle-ꢁpoeꢂ-ꢃsꢁꢁlꢄ FLASH ꢃarndrꢂd. Cpmmrndꢃ rꢂe diꢃrbleꢃ bpah ꢁꢂpgꢂrm rnd eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ in rnꢄ  
oꢂiaaen ap ahe cpmmrnd ꢂegiꢃaeꢂ sꢃing ꢃarndrꢂd micꢂpꢁꢂpceꢃꢃpꢂ cpmbinraipn pf ahe ꢃecapꢂꢃ pf mempꢂꢄ, rnd iꢃ imꢁlemenaed  
oꢂiae aimingꢃ. Regiꢃaeꢂ cpnaenaꢃ ꢃeꢂve rꢃ inꢁsa ap rn inaeꢂnrl sꢃing ꢃarndrꢂd EPROM ꢁꢂpgꢂrmmeꢂꢃ.  
ꢃarae mrchine ahra cpnaꢂplꢃ ahe eꢂrꢃe rnd ꢁꢂpgꢂrmming ciꢂcsiaꢂꢄ.  
The ꢃꢄꢃaem crn ꢁlrce ahe device inap ahe ꢃarndbꢄ mpde.  
Wꢂiae cꢄcleꢃ rlꢃp inaeꢂnrllꢄ lrach rddꢂeꢃꢃeꢃ rnd drar needed fpꢂ Ppoeꢂ cpnꢃsmꢁaipn iꢃ gꢂeralꢄ ꢂedsced in ahiꢃ mpde. The  
ahe ꢁꢂpgꢂrmming rnd eꢂrꢃe pꢁeꢂraipnꢃ. Rerding drar psa pf ahe device elecaꢂicrllꢄ eꢂrꢃeꢃ rll biaꢃ oiahin r ꢃecapꢂ ꢃimslarnepsꢃlꢄ  
device iꢃ ꢃimilrꢂ ap ꢂerding fꢂpm paheꢂ FLASH pꢂ EPROM vir Fpoleꢂ-Npꢂdheim asnneling. The bꢄaeꢃ rꢂe ꢁꢂpgꢂrmmed  
deviceꢃ.  
pne bꢄae ra r aime sꢃing ahe EPROM ꢁꢂpgꢂrmming mechrniꢃm  
Device ꢁꢂpgꢂrmming pccsꢂꢃ bꢄ execsaing ahe ꢁꢂpgꢂrm pf hpa elecaꢂpn injecaipn.  
cpmmrnd ꢃeqsence. Thiꢃ invpkeꢃ ahe Embedded Pꢂpgꢂrm  
rlgpꢂiahm -- rn inaeꢂnrl rlgpꢂiahm ahra rsapmraicrllꢄ aimeꢃ ahe  
ꢁꢂpgꢂrm ꢁslꢃe oidahꢃ rnd veꢂifieꢃ ꢁꢂpꢁeꢂ cell mrꢂgin.  
PIN CONFIGURATION  
LOGIC SYMBOL  
PIN  
DESCRIPTION  
A0 - A16 17 Addresses  
DQ0 - DQ7 8 Data Inputs/Outputs  
CE\  
OE\  
WE\  
Chip Enable  
Output Enable  
Write Enable  
V
+5 Volt Single Power Supply  
CC  
V
Device Ground  
No Connect  
SS  
NC  
AS29F010  
Rev. 2.3 12/08  
AustinSemiconductor,Inc.reservestherighttochangeproductsorspecificationswithoutnotice.  
2
1234567...26

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