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AS28F128J3MPBG-15/XT

更新时间： 2024-09-25 06:37:47
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
Plastic Encapsulated Microcircuit 128Mb, x8 and x16 Q-FLASH Memory Even Sectored, Single Bit per Cell Architecture

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AS28F128J3MPBG-15/XT 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：BGA
包装说明：10 X 13 MM, 1 MM PITHC, PLASTIC, BGA-64针数：64
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.73
Is Samacsys：N备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PBGA-B64长度：13 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：64字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：8MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

AS28F128J3MPBG-15/XT 数据手册

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PEM  
AS28F128J3M  
Q-Flash  
Austin Semiconductor, Inc.  
PIN ASSIGNMENT  
Plastic Encapsulated Microcircuit  
128Mb, x8 and x16 Q-FLASH Memory  
2
3
4
5
6
1
7
8
Even Sectored, Single Bit per Cell Architecture  
A
VCC  
A25  
A18  
A19  
A22  
CE1  
A1  
A2  
A3  
A6  
VSS  
A7  
A8  
A9  
VPEN A13  
B
C
D
E
F
Features  
CE0  
A12  
RP\  
A14  
A15  
A10  
A11  
DQ9  
•
•
•
•
•
•
100% Pin and Function compatible to Intel’s MLC Family  
NOR Cell Architecture  
2.7V to 3.6V VCC  
2.7V to 3.6V or 5V VPEN (Programming Voltage)  
Asynchronous Page Mode Reads  
Manufacturer’s ID Code:  
DNU  
A20  
A16  
A21  
A17  
DNU DNU  
A4  
A5  
DQ8 DQ1  
DQ3  
DQ4  
DNU DQ15 STS  
BYTE\ DQ0 DQ10 DQ11 DQ12 DNU  
DNU  
OE\  
G
H
A23  
A0  
DQ2 VCCQ DQ5  
DQ6 DQ14 WE\  
!
MT28F128J3MRG  
Micron  
0x2Ch  
•
•
•
•
•
•
•
Industry Standard Pin-Out  
Fully compatible TTL Input and Outputs  
Common Flash Interface [CFI]  
CE2 DNU  
VCC  
VSS DQ13 VSS  
DQ7  
A24  
64-Ball FBGA  
Scalable Command Set  
Automatic WRITE and ERASE Algorithms  
5.6us per Byte effective programming time  
128 bit protection register  
56  
55  
54  
53  
52  
A22  
CE1  
A21  
A20  
A19  
1
NC  
WE\  
OE\  
!
!
64-bit unique device identifier  
64-bit user programmable OTP cells  
2
3
4
5
6
7
8
9
STS  
•
•
•
•
Enhanced data protection feature with use of VPEN=VSS  
Security OTP block feature  
100,000 ERASE cycles per BLOCK  
Automatic Suspend Options:  
DQ15  
DQ7  
51  
50  
49  
48  
A18  
A17  
A16  
VCC  
A15  
A14  
DQ14  
DQ6  
VSS  
DQ13  
DQ5  
DQ12  
DQ4  
VCCQ  
VSS  
DQ11  
DQ3  
DQ10  
DQ2  
VCC  
DQ9  
DQ1  
DQ8  
DQ0  
A0  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
!
!
!
Block ERASE SUSPEND-to-READ  
Block ERASE SUSPEND-to-PROGRAM  
PROGRAM SUSPEND-to-READ  
A13  
A12  
CE0  
VPEN  
RP\  
A11  
A10  
A9  
•
Available Operating Ranges:  
!
!
Enhanced  
[-ET] -40oC to +105oC  
Mil-Temperature [-XT] -55oC to +125oC  
A8  
VSS  
A7  
A6  
A5  
For in-depth functional product detail and Timing Diagrams,  
please reference Micron’s full product Datasheet:  
A4  
A3  
A2  
A1  
BYTE\  
A23  
MT28F640J3  
Rev. L Dated 04/16/04  
CE2  
General Description  
This device features in-system block locking. They also have a  
Common FLASH Interface [CFI] that permits software algorithms  
to be used for entire families of devices. The software is device-  
independent, JEDEC ID-independent with forward and backward  
compatibility.  
ASI’s, AS28F128J3M Enhanced or Mil-Temp variant of Micron’s  
Q-Flash family of devices, is a nonvolatile, electrically block-  
erasable (FLASH), programmable memory device manufactured  
using Micron’s 0.15um process technology.  
This device  
containing 134,217,728 bits organized as either 16,777,218 (x8)  
or 8,388,608 bytes (x16). The device is uniformly sectored with  
one hundred and twenty eight 128KB ERASE blocks.  
AS28F128J3MRG  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or modify product specifications with appropriate notification  
Revision 5.0 11/23/04  
For Additional Products and Information visit out Web site at www.austinsemiconductor.com  
1
12345678

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与AS28F128J3MPBG-15/XT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS28F128J3MRG-15/ET AUSTIN

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 		Plastic Encapsulated Microcircuit 128Mb, x8 and x16 Q-FLASH Memory Even Sectored, Single B
AS28F128J3MRG-15/XT AUSTIN

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 		Plastic Encapsulated Microcircuit 128Mb, x8 and x16 Q-FLASH Memory Even Sectored, Single B
AS-29.000-10-3OT-30100-EXT-SMD-H25-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-EXT-SMD-H30-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-EXT-SMD-H32-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-EXT-SMD-STD-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-SMD-H25-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-SMD-H30-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-SMD-H32-TR RALTRON

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 		Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 29MHz Nom, ROHS COMPLIANT, HC-49/US, SMD, 2 PIN
AS-29.000-10-3OT-30100-SMD-STD-TR RALTRON

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