AI芯片霸主英伟达又有新动作！据台媒《工商时报》独家报道，这家市值万亿的科技巨头已悄然启动HBM内存基础裸片的自研计划，决心打破存储厂商对核心技术的垄断。这一战略举措或将彻底改写HBM市场的竞争格局，在AI算力竞赛白热化的当下，究竟意味着什么？

技术突破：从存储器到逻辑芯片的革命性转变

英伟达计划自研的Base Die将采用业界领先的3nm工艺制程，预计2027年下半年进入试产阶段，正好匹配其下一代AI GPU"Feynman"的发布时间表。与传统HBM最大的不同在于，从HBM4代开始，基础裸片将从DRAM制程转向逻辑半导体制程，这正是英伟达的强项所在。

目前市场上的HBM产品，无论是SK海力士、三星还是美光，其基础裸片都采用自家DRAM制程。但随着传输速率突破10Gbps大关，传统存储制程已难以满足性能需求。台积电等晶圆代工厂提供的12nm及更先进逻辑制程，将成为下一代HBM的必然选择。这一技术转向恰好为英伟达提供了战略机遇窗口。

商业博弈：供应链话语权的暗战

自研Base Die将使英伟达获得三重优势：首先是议价能力提升，告别被存储巨头"卡脖子"的困境；其次能自由导入NVLink Fusion等专有技术；更重要的是可为第三方ASIC提供模块化解决方案，扩大生态控制力。这一举动被视为英伟达抢占ASIC市场的关键落子。

但挑战同样不容小觑。SK海力士已率先推出12层堆叠的HBM4样品，采用先进MR-MUF封装技术，容量达36GB，带宽突破2TB/s，较前代提升60%。美光加入供应链虽打破了SK海力士的垄断，但整体话语权仍掌握在存储厂商手中。行业分析师指出，过度依赖英伟达解决方案可能引发客户反弹，毕竟ASIC市场的兴起本就是为对抗英伟达GPU的高溢价。

产业变局：HBM进入战国时代

HBM技术正以惊人速度迭代：中国跳过HBM2E直接量产HBM2；AMD即将发布带宽19.6TB/s的HBM4产品；SK海力士已将基础裸片代工交给台积电。这些迹象表明，传统DRAM厂商的垄断地位正在松动，行业进入跨界整合新阶段。

值得注意的是，英伟达早在2024年8月就提交了3D堆叠技术的关键专利，显现出长远布局。随着AI芯片中HBM成本占比从30%飙升至50%以上，控制这项核心技术已成必然选择。从A100的80GB到Rubin Ultra的1024GB，HBM容量12倍的增长背后，是英伟达对"内存墙"困境的突围决心。

这场围绕HBM的产业博弈才刚刚开始。一边是存储巨头加速迭代捍卫领地，一边是英伟达向产业链上游渗透，而台积电等代工厂将成为最大受益者之一。2027年的试产节点，或将见证AI芯片产业格局的又一次重塑。