当全球AI芯片需求爆发式增长，谁在背后默默掌控着关键内存的命脉？SK海力士近日做出了一项重大战略决策——暂缓下一代1c纳米DRAM内存量产设备的采购，将全部精力投入到HBM3E和HBM4高带宽内存的产能扩张上。这一举动不仅揭示了HBM市场惊人的盈利能力，更凸显了AI时代内存产业格局的深刻变革。

据韩国媒体thebell报道，SK海力士作为HBM市场的领导者，正在调整其生产战略布局。公司决定推迟第六代10nm级(1c纳米)DRAM内存量产线的设备采购计划，转而集中资源扩大基于1b工艺的HBM3E和即将量产的HBM4产能。这一决策背后是英伟达等AI芯片巨头对HBM产品的庞大需求，以及HBM远超传统DRAM的利润空间。SK海力士在HBM领域的技术领先地位不容小觑。目前主力产品HBM3E和即将推出的HBM4均采用1b工艺，而更先进的1c制程将用于未来的HBM4E。值得注意的是，尽管SK海力士已率先完成1c纳米DDR5的开发，实现了11%速度提升和9%能效改进，但在LPDDR5x的进度上被美光暂时超越。这种技术路线的取舍，充分体现了公司"有所为有所不为"的战略智慧。

市场需求的急剧变化是促使SK海力士调整战略的关键因素。据内部消息，公司不仅获得了英伟达的持续订单，还锁定了博通这样的大客户，预计2025年下半年开始供货。为应对激增的订单需求，SK海力士原计划2025年将1b DRAM产能提升至每月14-15万片300mm晶圆，现在可能进一步提高到16-17万片。位于韩国忠清北道清州市的M15X新DRAM生产基地建设也在加速推进，预计2025年11月竣工并开始量产HBM产品。

半导体行业分析师指出，随着AI时代的到来，DRAM市场已进入中长期增长阶段。SK海力士预计HBM的年均增长率将高达60%以上。这一惊人增速意味着，要确保HBM产量达到与普通DRAM相当的水平，至少需要两倍以上的生产能力。面对如此巨大的市场机遇，SK海力士选择暂时搁置1c DRAM设备采购，无疑是明智的商业决策。

虽然暂缓了1c DRAM量产设备采购，但SK海力士在该技术上的领先优势依然明显。公司已在2024年8月成功开发出1c纳米工艺的16Gb DDR5-8000 DRAM内存，并于2025年1月完成批量产品认证，质量和良率均达到要求。相比之下，竞争对手三星电子和美光尚未官宣第六代10纳米级DRAM内存，使SK海力士在技术节点上保持着先发优势。

SK海力士的战略转向揭示了一个重要趋势：在AI驱动的半导体新时代，HBM等高附加值产品正重塑内存产业格局。公司暂缓1c DRAM设备采购绝非技术退缩，而是对市场机遇的精准把握。随着M15X新工厂的建设和产能调整计划的实施，SK海力士正在为巩固其在HBM市场的领导地位奠定坚实基础。这场内存产业的技术与商业博弈，才刚刚开始。