2025年3月11日，美光科技(Micron)宣布了一项重要进展，成功在1γ DDR5内存的生产中实现了最少化极紫外光刻(EUV)技术的使用，从而加速了尖端DRAM的量产。这一举措标志着美光在内存技术领域的又一次重大突破。

美光于今年2月向英特尔(Intel)和AMD等客户交付了1γ DDR5的样品，成为内存行业中首家实现这一突破的企业。1γ节点是DRAM工艺技术的第六代革新，其最小几何尺寸介于19纳米至10纳米之间。这一节点技术的成功应用，预计将推动云端计算、工业自动化、消费电子以及端侧AI设备等前沿计算平台的创新发展。

值得注意的是，尽管EUV技术在半导体制造中具有高精度和高产能的优势，但其高昂的成本和技术难度一直是制约其广泛应用的重要因素。美光此次选择减少对EUV的依赖，更多采用成熟的氩氟浸没式光刻(ArFi)工艺，旨在通过优化制造流程，提升量产速度，并降低生产成本。

根据ASML的数据，下一代深紫外光刻(DUV)系统使用193纳米波长的氩氟激光，可实现38纳米特征尺寸的打印;而EUV光刻使用13.5纳米波长的光，精度更高，但成本也更高。美光表示，EUV技术尚未完全稳定，因此仅在必要时使用。这一策略短期内可能提升量产速度，但长期来看，可能影响芯片的良率和性能。

然而，美光在1γ DDR5内存的生产中并非完全摒弃EUV技术。据透露，美光在制造的某些关键层上仍然应用了EUV技术，以确保产品的性能和良率。这种策略既兼顾了成本控制，又保证了产品质量，显示了美光在半导体制造技术上的深厚底蕴和创新能力。

美光的1γ 16Gbit DDR5 DRAM芯片在性能上实现了显著提升，速度高达9200MT/s，与前代采用1β技术的同类产品相比，速度提升了15%，功耗则降低了20%以上。这一成就得益于1γ节点中引入的EUV技术以及下一代高K金属栅极CMOS技术的运用。这些技术不仅提升了晶体管性能，还实现了速率提升、设计优化以及特征尺寸缩小，从而带来了功耗降低和性能扩展的双重效益。

美光执行副总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer表示：“凭借我们在专有DRAM技术开发方面的专长，以及对EUV光刻技术的战略部署，美光成功打造了基于1γ节点的先进内存产品组合，这将有力推动AI生态系统的发展。1γ DRAM节点的实现，不仅彰显了美光卓越的制造实力和效率，还使我们能够大规模扩大内存供应，以满足行业日益增长的需求。”

随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战，包括提升性能、降低功耗以及提升容量密度产出。通过在全球范围内的制造基地部署1γ节点技术，美光不仅能为行业提供更尖端的技术支持，还能显著增强供应链的韧性。

美光计划在其整个DRAM产品线中引入1γ技术，这涵盖了用于数据中心的DDR5、针对边缘AI应用的低功耗DRAM、专为AI个人电脑设计的DDR5 SODIMM，以及适用于移动设备和汽车的LPDDR5X。这些产品将为客户提供可扩展的内存解决方案，涵盖从数据中心到端侧设备等各个领域，助力AI生态系统发展。

美光在1γ DDR5内存技术上的突破，不仅体现了其在半导体制造领域的领先地位，也为其在全球市场上的竞争提供了强有力的支持。未来，随着技术的不断成熟和市场的不断扩大，美光有望在全球内存市场上占据更加重要的地位。