SI2301DS是一款由Vishay Siliconix生产的P-Channel(P沟道)MOSFET,广泛应用于电源管理、电机控制、负载开关和其他需要开关或放大功能的场合。本文将详细解读这款MOSFET的技术手册,帮助读者全面了解其性能、应用和设计要点。
产品概述
型号:Si2301DS
类型:P-Channel MOSFET
封装:TO-236(SOT-23)
最大耗散功率:1.25W
工作电压:2.5V
绝对最大额定值
这些参数定义了器件能够承受的最大应力,超出这些限制可能会损坏器件:
漏源电压(VDS):-20V
栅源电压(VGS):±8V
连续漏电流(ID):-2.3A(TA=25°C),-1.5A(TA=70°C)
脉冲漏电流(IDM):-10A
连续源电流(IS):-1.6A
功率耗散:1.25W(TA=25°C),0.8W(TA=70°C)
工作结温和存储温度范围:TJ, Tstg -55 to 150 °C
热阻抗
最大结到环境热阻抗(RthJA):100°C/W
最大结到环境热阻抗(thJA):166°C
电气规格
在TJ = 25°C的条件下,除非另有说明,以下是SI2301DS的电气特性:
漏源击穿电压(V(BR)DSS):-20V
栅阈值电压(VGS(th)):-0.45V
栅体漏电流(IGSS):≤100nA
零栅压漏源电流(IDSS):-1μA(VDS = -20V, VGS = 0V),-10μA(VDS = -20V, VGS = 0V, TJ = 55°C)
导通状态下的漏源电流(ID(on)):-6A(VDS = -5V, VGS = -4.5V),-3A(VDS = -5V, VGS = -2.5V)
漏源导通电阻(rDS(on)):0.105Ω(VGS = -4.5V, ID = -2.8A),0.145Ω(VGS = -2.5V, ID = -2.0A)
正向跨导(gfs):6.5S
动态特性
总栅极电荷(Qg):5.8nC
栅源电荷(Qgs):0.85nC
栅漏电荷(Qgd):1.70nC
输入电容(Ciss):415pF
输出电容(Coss):223pF
反向传输电容(Crss):87pF
开关特性
导通时间(td(on)):13.0ns(VDD = -6V, RL = 6Ω,ID = -10A,VGEN = -4.5V),25ns(VDD = -6V, RL = 6Ω,ID = -1A)
关断时间(td(off)):36.0ns(RG = 6Ω),42ns(RG = 42Ω,70ns)
典型特性
手册中提供了SI2301DS的典型特性曲线,包括:
导通电阻与漏电流关系:展示了不同漏电流下导通电阻的变化。
输出特性:展示了不同栅源电压下的漏电流与漏源电压的关系。
转移特性:展示了不同栅源电压下的漏电流。
栅极电荷:展示了不同栅源电压下的总栅极电荷。
导通电阻与结温关系:展示了不同结温下导通电阻的变化。
源漏二极管正向电压:展示了不同源电流下的源漏二极管正向电压。
栅源电压与导通电阻关系:展示了不同栅源电压下的导通电阻。
单脉冲功率:展示了不同条件下的单脉冲功率。
阈值电压:展示了不同条件下的阈值电压。
热瞬态阻抗:展示了不同条件下的热瞬态阻抗。
结论
SI2301DS是一款高性能的P-Channel MOSFET,适用于需要高效率和低功耗的应用场合。其低导通电阻、快速开关时间和良好的热性能使其成为理想的选择。设计工程师可以通过详细解读其技术手册,充分理解其电气特性和应用要求,从而在设计中实现最佳性能。
通过上述解读,读者可以全面了解SI2301DS的主要特性和应用,为其在电子设计项目中的应用提供有力的支持。