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AQZ202D

更新时间： 2024-01-07 03:25:18

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NAIS		继电器
页数	文件大小	规格书
5页	88K
描述
POWER PhotoMOS RELAYS (Voltage Sensitive Type)

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AQZ202D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.827 X 0.138 INCH, 0.492 INCH HEIGHT, SIP-4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.40.95.00	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH SENSITIVITY
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND VARISTOR	最大正向电流：	0.05 A
最大绝缘电压：	2500 V	元件数量：	1
最大通态电流：	3 A	最大通态电阻：	0.18 Ω
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT SSR	Base Number Matches：	1

AQZ202D 数据手册

AQZ10❍D, 20❍D

RATING

1. AC/DC type

1) Absolute maximum ratings (Ambient temperature: 25°C 77°F)

Item

Input voltage

Input reverse voltage

Power dissipation

Symbol AQZ202D

AQZ205D

AQZ207D

AQZ204D

Remarks

V^IN

V^RIN

Pⁱⁿ

30 V

Input

3 V

300 mW

Load voltage (Peak AC)

Continuous load current (Peak AC)

Peak load current

Power dissipation

Total power dissipation

I/O isolation voltage

V^L

I^L

I^peak

P^out

P^T

60 V

2.7 A

9.0 A

100 V

1.8 A

6.0 A

200 V

0.9 A

3.0 A

400 V

0.45 A

1.5 A

Output

100 ms (1 shot), V^L= DC

1.6 W

V^iso

2,500 V AC

–40°C to +85°C –40°F to +185°F (4 V q V^INq 6 V)

–40°C to +75°C –40°F to +167°F (6 V < V^INq 15 V)

–40°C to +60°C –40°F to +140°F (15 V < V^INq 30 V)

Non-condensing at low

temperatures

Operating

Storage

T^opr

T^stg

Temperature

limits

–40°C to +100°C –40°F to +212°F

2) Electrical characteristics (Ambient temperature: 25°C 77°F)

Item

Symbol AQZ202D

AQZ205D

AQZ207D

AQZ204D

Remarks

Typical

Maximum

Minimum

Typical

1.4 V

I^L= 100 mA

VL = 10 V

Operate voltage

V^Fon

4 V

0.8 V

1.3 V

6.5 mA

Input

I^L= 100 mA

VL = 10 V

Turn off voltage

Input current

V^Foff

I^IN

Typical

V^IN= 5 V

I^L= Max.

Within 1 s on time

Typical

0.066 Ω

0.18 Ω

0.180 Ω

0.64 Ω

1.1 Ω

2.4 Ω

3.2 Ω

On resistance

R^on

Ileak

T^on

Maximum

0.34 Ω

Output

V^IN= 0

V^L= Max.

Off state leakage current Maximum

10 µA

V^IN= 5 V

I^L= 100 mA

V^L= 10 V

Typical

5.8 ms

0.2 ms

4.2 ms

2.7 ms

2.3 ms

0.1 ms

Turn on time*

Maximum

10.0 ms

0.2 ms 0.1 ms

Switching

speed

V^IN= 5 V

I^L= 100 mA

VL= 10 V

Typical

Turn off time*

Maximum

T^off

3.0 ms

Transfer

characteristics

Typical

I/O capacitance

0.8 pF

1.5 pF

f = 1 MHz

V^B= 0

C^iso

R^iso

Maximum

Initial I/O isolation

Minimum

1,000 MΩ

500 V DC

resistance

V^IN= 5 V

Duty factor = 50%

IL×VL = 200 (VA)

Maximum operating

Maximum

—

0.5 cps

speed

Vibration resistance

Shock resistance

Minimum

—

10 to 55 Hz at double amplitude of 3 mm

4,900 m/s²{500 G}1 ms

2 hours for 3 axes

3 times for 3 axes

Recommendable LED forward current I^F= 5 to 10 mA.

*Turn on/off time

For type of connection, see page 35.

Input

90%

10%

Output

Ton

Toff

2. DC type

1) Absolute maximum ratings (Ambient temperature: 25°C 77°F)

Item

Input voltage

Input reverse voltage

Power dissipation

Symbol AQZ102D

AQZ105D

AQZ107D

AQZ104D

Remarks

V^IN

V^RIN

Pⁱⁿ

30 V

Input

3 V

300 mW

Load voltage (DC)

Continuous load current (DC)

Peak load current

V^L

I^L

I^peak

P^out

P^T

60 V

3.6 A

9.0 A

100 V

2.3 A

6.0 A

200 V

1.1 A

3.0 A

400 V

0.6 A

1.5 A

Output

100 ms (1 shot), V^L= DC

Power dissipation

Total power dissipation

I/O isolation voltage

1.35 W

V^iso

2,500 V AC

–40°C to +85°C –40°F to +185°F (4 V q V^INq 6 V)

–40°C to +75°C –40°F to +167°F (6 V < V^INq 15 V)

–40°C to +60°C –40°F to +140°F (15 V < V^INq 30 V)

Non-condensing at low

temperatures

Operating

Storage

T^opr

T^stg

Temperature

limits

–40°C to +100°C –40°F to +212°F

215

123 4 5

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与AQZ202D相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AQZ202G	PANASONIC	Transistor Output SSR,	获取价格
AQZ202V	NAIS	POWER PhotoMOS RELAYS with Internal Varistor	获取价格
AQZ204	PANASONIC	Transistor Output SSR, 1-Channel, 2500V Isolation, ROHS COMPLIANT, SIL-4	获取价格
AQZ204D	NAIS	POWER PhotoMOS RELAYS (Voltage Sensitive Type)	获取价格
AQZ204D	PANASONIC	Transistor Output SSR, 1-Channel, 2500V Isolation, SIL-4	获取价格
AQZ204V	NAIS	POWER PhotoMOS RELAYS with Internal Varistor	获取价格

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