APT12M80B

更新时间： 2024-10-01 06:37:27

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美高森美 - MICROSEMI		/
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N-Channel MOSFET

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APT12M80B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.35
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	525 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT12M80B 数据手册

APT12M80B

APT12M80S

800V, 13A, 0.80Ω Max

N-Channel MOSFET

Power MOS 8^™is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.

A proprietary planar stripe design yields excellent reliability and manufacturability. Low

switching loss is achieved with low input capacitance and ultra low C_rss"Miller" capaci-

tance. The intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure

help control slew rates during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling,

even when switching at very high frequency. Reliability in ﬂyback, boost, forward, and

other circuits is enhanced by the high avalanche energy capability.

D³PAK

APT12M80B

APT12M80S

Single die MOSFET

FEATURES

TYPICAL APPLICATIONS

• PFC and other boost converter

• Fast switching with low EMI/RFI

• Buck converter

• Low R_DS(on)

• Two switch forward (asymmetrical bridge)

• Single switch forward

• Flyback

• Ultra low C_rssfor improved noise immunity

• Low gate charge

• Avalanche energy rated

• RoHS compliant

• Inverters

Absolute Maximum Ratings

Symbol Parameter

Unit

Ratings

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

I_D

Continuous Drain Current @ T_C= 1ꢀꢀ°C

Pulsed Drain Current ¹

I_DM

V_GS

E_AS

I_AR

3ꢀ

525

Gate-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ²

Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive

Thermal and Mechanical Characteristics

Symbol Characteristic

Min

Typ

Max

335

Unit

P_D

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

R_θJC

ꢀ.37

Junction to Case Thermal Resistance

°C/W

°C

R_θCS

ꢀ.11

Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface

T_J,T_STG

-55

15ꢀ

3ꢀꢀ

Operating and Storage Junction Temperature Range

T_L

Soldering Temperature for 1ꢀ Seconds (1.6mm from case)

ꢀ.22

6.2

W_T

Package Weight

in·lbf

N·m

1ꢀ

Torque

Mounting Torque ( TO-247 Package), 6-32 or M3 screw

1.1

MicrosemiWebsite-http://www.microsemi.com

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT12M80S	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT13003D	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DI-G1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DU-G1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DZ-G1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003DZTR-G1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003E	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003E_11	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003EU-E1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
APT13003EU-G1	BCDSEMI	获取价格	HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

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