AP40N03GS

更新时间： 2024-02-24 07:34:19

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富鼎先进 - A-POWER		/
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6页	83K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP40N03GS 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	40 A
最大漏源导通电阻：	0.017 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	169 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP40N03GS 数据手册

AP40N03GS

f=1.0MHz

10000

1000

100

I _D=20A

V _DS=16V

V _DS=20V

V _DS=24V

Ciss

Coss

Crss

Q _G, Total Gate Charge (nC)

V _DS(V)

Fig 9. Gate Charge Characteristics

Fig 10. Typical Capacitance Characteristics

100

T _j= 150 ^oC

T _j= 25 ^oC

0.1

0.01

0.1

0.3

0.5

0.7

0.9

1.1

1.3

1.5

-50

100

150

T _j, Junction Temperature ( ^oC)

V _SD(V)

Fig 11. Forward Characteristic of

Reverse Diode

Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.

Junction Temperature

1 2 3 456

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